DMN2028UFDH-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
VDFN30308
包装 :
编带
重量 :
0.047g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.1W 20V 6.8A 2个N沟道 PowerDI3030-8
库存 :
9000(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.887按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.887
--
200+
￥0.612
--
1500+
￥0.556
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3000+
￥0.52
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMN2028UFDH-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.8A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 20mΩ @ 4A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.1W | 类型 | 双N沟道 |
| FET 类型 | 2 N 沟道（双）共漏 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 20 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 8.5nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 151pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 1.1W |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN | 供应商器件封装 | PowerDI3030-8 |
DMN2028UFDH-7手册
DMN2028UFDH-7概述
DMN2028UFDH-7 产品概述
DMN2028UFDH-7是一款高性能的双N沟道场效应管（MOSFET），由美台（DIODES）生产，专为具有高效率和低功耗需求的电子应用而设计。其主要参数包括最大漏源电压（( V_{dss} )）为20V，连续漏极电流（( I_d )）在25°C时可达到6.8A，适合广泛的电源管理和开关应用。
1. 主要参数
- 漏源电压 (( V_{dss} )): 20V，意味着该MOSFET能够承受高达20V的漏电压，适用于低到中等级别的电压应用。
- 连续漏极电流 (( I_d )): 6.8A，这一参数表明在标准工作条件下，该元件可承载的最大连续电流，适合大多数负载驱动需求。
- 栅源极阈值电压 (( V_{gs(th)} )): 1V @ 250µA，这意味着它在1V的栅源电压下开始导通，显示出其良好的逻辑电平控制特性。
- 漏源导通电阻 (( R_{ds(on)} )): 最大20mΩ @ 4A, 10V，这样的低导通电阻有助于降低开关损耗提高系统效率。
- 最大功率耗散: 1.1W，这一参数反映了在指定的环境温度下，该MOSFET能够稳定工作的最大功率，可确保设计的可靠性。
2. 工作温度及可靠性
DMN2028UFDH-7的工作温度范围广泛，从-55°C到150°C，确保在极端环境条件下也能正常工作。此外，其采用表面贴装型（SMT）和PowerDI3030-8封装，使得安装简便，同时进一步提升了散热效率与系统集成度。
3. 电气特性
- 输入电容 (( C_{iss} )): 151pF @ 10V，这一电容值对于高速开关应用尤其重要，较低的输入电容能够提升开关速度，降低切换损耗。
- 栅极电荷 (( Q_g )): 8.5nC @ 4.5V，较小的栅极电荷使其在开关过程中具有更快的响应能力，并能够减少驱动电路的功率需求，进而提高整个系统的效率。
4. 应用场景
DMN2028UFDH-7作为逻辑电平门MOSFET，广泛应用于各种电子设备中，如DC-DC转换器、电机驱动、电源管理、负载开关等领域。它的特性使其适合于低压、高频率的开关电源设计，例如UPS（不间断电源）中的开关应用，以及电动工具、便携式设备和家电控制等领域。
5. 结论
总之，DMN2028UFDH-7是一款集成度高、性能卓越的双N沟道MOSFET，具备出色的电气特性和宽广的应用范围。其设计优良，能够在各种复杂的电源管理应用中提供稳定的性能，满足现代电子设备对高效能与低功耗的需求。随着电子技术的发展，对于更小型、高效率元件的需求在不断增加，DMN2028UFDH-7无疑是满足这一需求的有力选择。