DMN10H170SK3-13
DMN10H170SK3-13参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 140 毫欧 @ 5A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.7nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1167pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 42W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | TO-252-3 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
DMN10H170SK3-13手册
DMN10H170SK3-13概述
产品概述：DMN10H170SK3-13
一、产品基本信息
DMN10H170SK3-13是一款高性能N沟道MOSFET，它采用了现代化的金属氧化物半导体技术，广泛应用于各种功率管理及开关电源方案中。其漏源电压可达100V，连续漏极电流可达12A，适合在多种电源电路中使用。此器件在高温环境下依然表现出色，工作温度范围从-55°C到150°C，确保了设备在恶劣环境中的稳定性。
二、技术参数
漏源电压：该MOSFET具有100V的最大漏源电压（Vdss），使其适用于中高压电源应用，为设计师提供了广泛的使用场景。
连续漏极电流：在25°C时，其漏极电流（Id）可达12A（Tc），这使得其在高负载情况下依然能够正常工作，适合用于直流电源、开关电源等场景。
导通电阻：DMN10H170SK3-13在栅源电压为10V时，最大导通电阻（Rds On）为140毫欧，这对于提升功率转换效率至关重要。较低的导通电阻能有效降低功耗，改善系统的热性能。
栅源阈值电压：在不同的漏极电流（Id）下，该器件的Vgs(th)最大值为3V @ 250µA，这意味着该器件在较低的栅源电压下可以开启，提高了其应用的灵活性。
栅极电荷：在10V的栅源电压下，栅极电荷（Qg）最大值为9.7nC，较低的栅极电荷值意味着在开关过程中能够实现更快的响应速度和更高的工作频率，有助于提高开关电源的输出效率。
输入电容：在25V的工作条件下，该器件的输入电容（Ciss）最大值为1167pF，这个特性对于高速开关应用非常重要。
功率耗散：该产品的最大功率耗散为42W（Tc），意味着能够承受较高的功率负载，适用于高功率转换及驱动应用。
绝对最大额定值：栅源电压最大值为±20V，保证了在电压波动情况下器件的可靠性。
三、应用场景
DMN10H170SK3-13广泛应用于以下领域：
- 开关电源：由于其高开关效率和能承受较高电压及电流，适合用于各种开关电源设计中。
- 电机驱动：在电动机驱动电路中，可以高效控制电流，提高电机的运行效率。
- DC-DC转换器：在DC-DC转换器中，该MOSFET可担任主开关，确保高效能量转换。
- 电池管理系统：在各种电池管理及充电系统中，可以用于实现电流的精确控制及保护功能。
四、封装与安装
DMN10H170SK3-13采用TO-252（DPAK）封装，这种封装形式适合表面贴装，便于PCB的布线与焊接。通过安装在电路板上，器件能够在其工作中快速散热，提升整体效能，结构紧凑且适合多种设备。
五、总结
作为一款高效的N沟道MOSFET，DMN10H170SK3-13凭借其优越的电气特性及强大的工作能力，为电子设计师提供了广泛的应用灵活性。无论是在高功率开关电源，还是在电机驱动和电池管理系统中，它都能稳定运行并有效提高性能。未来，随着技术不断进步，该MOSFET将继续在众多电源转换和管理领域展现其价值。