DMG3415U-7
品牌 :
DIODES(美台)
封装 :
SOT23
包装 :
编带
重量 :
0.028g
描述 :
场效应管(MOSFET) 900mW 20V 4A 1个P沟道 SOT-23
库存 :
7639(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
0.675按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.675
--
200+
￥0.435
--
1500+
￥0.379
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
DMG3415U-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 39mΩ @ 4A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 900mW | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.8V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 39 毫欧 @ 4A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 9.1nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±8V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 294pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 900mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
DMG3415U-7手册
DMG3415U-7概述
DMG3415U-7 产品概述
产品简介
DMG3415U-7 是 Diodes Inc. 生产的一款高性能 P沟道 MOSFET，具有出色的电气特性和广泛的应用潜力。该器件在 SOT-23 封装中提供了优秀的性能，包括低导通电阻和高漏极电流能力，适合用于各种需要高效率和紧凑尺寸的电源管理应用。
主要规格
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）（在 25°C 时）: 4A
- 最大功率耗散: 900mW（在 25°C 环境下）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1V @ 250µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 39mΩ @ 4A, 4.5V
- 工作温度范围: -55°C 到 150°C
- 封装类型: SOT-23（TO-236-3, SC-59）
性能特点
DMG3415U-7 的设计使其在多种电源管理和开关应用中表现出色。其最大的优势在于：
低导通电阻: 39mΩ 的导通电阻确保在4A的电流下能有效地减少功耗和发热。这使得 MOSFET 在高效电源转换和负载开关应用中非常可靠。
高温工作能力: 该器件能够在高达 150°C 的环境温度下工作，对恶劣工作条件和恶劣环境的适应能力，使其适用于汽车和工业应用。
高漏源电压能力: 20V 的漏源电压使得该 MOSFET 能够负责中等电压的开关，适合用于多种低至中压电源管理应用。
低栅极驱动电压: 其设计可以在 1.8V 的驱动电压下工作，适配那些对栅极驱动电压有严格要求的系统方案。这就使得 DMG3415U-7 能够与多种控制电路兼容。
小型封装: SOT-23 封装不仅占用空间小，便于布局，还便于自动化贴片生产，适合大规模生产和应用。
应用场景
DMG3415U-7 广泛应用于以下领域：
- 电源管理：适用于 DC-DC 转换器、功率开关和电源延续应用。
- 负载开关：可用于启动和停止负载供电，特别在电池供电的设备中。
- 信号开关：在通信和数据传输设备中进行信号开关。
- LED 驱动：可用于高效驱动 LED 照明，以及其他光源应用。
结论
DIODES DMG3415U-7 是一款可靠和高效的 P 沟道 MOSFET，凭借其低导通电阻、高漏源电流和在恶劣条件下的稳定性，使其在电源管理、负载开关及其他开关应用中非常理想。无论是在计算机、通讯设备，还是在家电和工业设备中，DMG3415U-7 都能提供出色的性能。通过选择这一元器件，设计工程师能够设计出更加高效、可靠的电子系统。