DMG1016V-7
DMG1016V-7参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 870mA,640mA |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 400mΩ @ 600mA,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 530mW | 类型 | N沟道和P沟道 |
| FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 870mA，640mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 400 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 0.74nC @ 4.5V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 60.67pF @ 16V | 功率 - 最大值 | 530mW |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | SOT-563，SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
DMG1016V-7手册
DMG1016V-7概述
DMG1016V-7 产品概述
DMG1016V-7 是一款由 DIODES（美台公司）生产的高性能 MOSFET，其封装类型为 SOT-563，适合表面贴装。这款器件集成了一个 N 型和一个 P 型沟道场效应管，具备出色的电气性能，广泛应用于低功耗电源管理、开关调节、电机控制等领域，尤其适合需要逻辑电平驱动的电路设计。产品的关键参数使其成为小型化电子设备的理想选择。
主要规格与性能参数
漏源电压（Vdss）: 该器件的漏源电压为 20V，适合于低电压应用。这一特性使其在多种电源环境下工作稳定，避免了在过高电压条件下的损坏风险。
连续漏极电流（Id）: DMG1016V-7 在 25°C 的情况下，N 沟道可承载最大连续漏极电流为 870mA，而 P 沟道的最大连续漏极电流为 640mA。这一电流承载能力支持各种中低功率负载，保证了设备在高负载条件下的可靠性。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 对于该器件，N 沟道的阈值电压为 1V @ 250µA，这使得设备在逻辑电平驱动信号下能够有效导通，提升了系统的整体功率效率。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 在 4.5V 的栅极电压下，600mA 电流时，漏源导通电阻为 400mΩ。这一性能降低了导通损耗，为电路提高了效率，非常适合高频开关应用。
功率－最大值: 该元器件的最大功率耗散为 530mW（在 25°C 下），这保证了在不同环境温度下都能安全稳定工作。功率耗散能力是设计电源和开关电路时需要优先考虑的重要参数。
工作温度范围: DMG1016V-7 的工作温度范围从 -55°C 到 150°C，这意味着它能够在极端的环境条件下工作，极大地扩展了其应用领域，包括航空航天、汽车电子和工业设备等。
栅极电荷 (Qg): 在 4.5V 的栅极电压下，栅极电荷为 0.74nC，较小的栅电荷确保了更快的开关速度，适合高频应用。
输入电容 (Ciss): 在 16V 的情况下，其输入电容为 60.67pF，这一特性有助于提高开关性能，降低信号延迟，并适用于高频率操作。
应用场景
DMG1016V-7 的设计考虑到了现代电子设备中的多种应用场景，包括：
- 电源管理: 适用于 DC-DC 转换器、电池管理系统等领域，能够提升能量转换效率和系统可靠性。
- 开关电路: 由于其低导通电阻和快速开关特性，DMG1016V-7 特别适合用于各种开关模式电源、同步整流和电机驱动应用。
- 逻辑电平驱动: 该器件的逻辑电平控制特性使得其在微控制器和数字电路中的应用非常广泛。
结论
DMG1016V-7 是一款具有优异性能的 MOSFET，结合了低功耗、高效率及广泛的应用范围。其小型 SOT-563 封装适合于现代电子产品的高集成度设计，能够满足多种市场需求。凭借其高可靠性和出色的电气性能，这款产品无疑将是设计师在选择场效应管时的一种优秀选择。