DMC3028LSD-13

DMC3028LSD-13 产品概述

产品简介

DMC3028LSD-13 是一款高性能的场效应管（MOSFET），由DIODES（美台）公司制造。该MOSFET设计为 N 沟道和 P 沟道的逻辑电平门，特别适合于多种电源管理和开关应用。凭借其优越的电气性能和广泛的工作温度范围，该产品在电力电子、汽车电子及其他高要求的电子设备中得到广泛应用。

基本规格

• 类型：N 沟道和 P 沟道
• 漏源电压（Vdss）：30V
• 连续漏极电流（Id）：
  • 在 25°C 时最大值：6.6A（N 域），6.8A（P 域）
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：3V @ 250µA
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：28mΩ @ 6A, 10V
• 输入电容 (Ciss)：472pF @ 15V
• 栅极电荷 (Qg)：10.5nC @ 10V
• 最大功率耗散：1.8W （在 Ta=25°C 时）
• 工作温度范围：-55°C ~ 150°C
• 封装类型：8-SOIC
• 器件封装：8-SO

设计优势

DMC3028LSD-13 具备低导通电阻（28mΩ），这意味着在开启状态下，其功耗极低，从而提高了系统的效率。此外，其较高的连续漏极电流能力（6.6A/6.8A）和良好的热性能让它成为高功率应用的优选部件。工作温度的广泛范围 (-55°C ~ 150°C) 使其可以在极端环境下稳定工作，非常适合汽车和工业电子场合。

应用场景

DMC3028LSD-13 广泛应用于以下领域：

1. 电源管理：适用于开关电源、逆变器和DC-DC转换器，能够处理高频率操作并保持高能效。
2. 电动汽车：在电动汽车的电机控制和能量管理系统中使用，以实现高效的电能传输和控制。
3. 汽车电子：适合用于LED驱动、车载充电及其他高功率寄生扩展应用。
4. 计算机和消费电子：可用作温控风扇驱动、开关电源和高效负载开关等。
5. 工业控制：在各种工业自动化设备中也可以高效地管理电流流向和信号。

封装特点

采用 8-SOIC 封装，DMC3028LSD-13 便于表面贴装，适合现代电子电路的紧凑设计。该封装不仅提供了良好的散热性能，使得设备在高功率输入下仍保持稳定，也改善了电磁干扰（EMI）性能，有助于提升整体产品的可靠性。

总结

DMC3028LSD-13 在设计上兼顾了高效能与广泛的应用灵活性，是一款出色的 N/P 沟道 MOSFET。这款器件以其优越的电气性能、可靠的工作能力和小巧的封装形式，成为电源管理、汽车电子和工业控制系统中的理想选择。无论是高功率应用还是复杂的逻辑控制，DMC3028LSD-13 均能提供稳健的电气性能，确保电子设备在各种工作条件下的高效运行。