漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 1.03A,700mA |
栅源极阈值电压 | 900mV @ 250uA | 漏源导通电阻 | 480mΩ @ 200mA,5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 450mW | 类型 | N沟道和P沟道 |
FET 类型 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | 标准 |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.03A,700mA | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 480 毫欧 @ 200mA,5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 900mV @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 0.5nC @ 4.5V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 37.1pF @ 10V | 功率 - 最大值 | 450mW |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | SOT-563,SOT-666 | 供应商器件封装 | SOT-563 |
DMC2400UV-13 是一种高性能的双极性MOSFET,包含一个N沟道和一个P沟道场效应管,封装形式为SOT-563,适用于各种电子电路的开关和放大应用。这种元件具有卓越的电气性能和优越的热管理能力,使其成为现代电子产品中不可或缺的核心元器件。该产品的设计考虑了能源效率、高功率密度及小型化的趋势,适合用于便携式设备、电源管理、高频开关电源和其他要求高效能的应用场景。
DMC2400UV-13 MOSFET广泛应用于以下领域:
DMC2400UV-13在市场中提供的竞争优势包括:
作为DIODES(美台)出品的高效场效应管,DMC2400UV-13以其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围以及小巧的封装尺寸,在多种应用场景下提供了可靠的解决方案。无论是在电源管理、便携式设备、高频应用还是电动机控制中,这种MOSFET都能提供出色的性能和高效能,适合现代电子产品设计的需求。