DMC2400UV-13 产品实物图片
DMC2400UV-13 产品实物图片
商品图片1
商品图片2
商品图片3
注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DMC2400UV-13

商品编码: BM0000283286
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
SOT563
包装 : 
编带
重量 : 
0.011g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 450mW 20V 1.03A;700mA 1个N沟道+1个P沟道 SOT-563
库存 :
5057(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.58
按整 :
圆盘(1圆盘有10000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.58
--
100+
¥0.4
--
500+
¥0.364
--
2500+
¥0.337
--
5000+
¥0.314
--
60000+
产品参数
产品手册
产品概述

DMC2400UV-13参数

漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)1.03A,700mA
栅源极阈值电压900mV @ 250uA漏源导通电阻480mΩ @ 200mA,5V
最大功率耗散(Ta=25°C)450mW类型N沟道和P沟道
FET 类型N 和 P 沟道FET 功能标准
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)1.03A,700mA不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)480 毫欧 @ 200mA,5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)900mV @ 250µA不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)0.5nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)37.1pF @ 10V功率 - 最大值450mW
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
封装/外壳SOT-563,SOT-666供应商器件封装SOT-563

DMC2400UV-13手册

DMC2400UV-13概述

DMC2400UV-13 产品概述

一、产品简介

DMC2400UV-13 是一种高性能的双极性MOSFET,包含一个N沟道和一个P沟道场效应管,封装形式为SOT-563,适用于各种电子电路的开关和放大应用。这种元件具有卓越的电气性能和优越的热管理能力,使其成为现代电子产品中不可或缺的核心元器件。该产品的设计考虑了能源效率、高功率密度及小型化的趋势,适合用于便携式设备、电源管理、高频开关电源和其他要求高效能的应用场景。

二、技术参数

  • 漏源电压(Vdss): 最高为20V,适应多种低电压应用。
  • 连续漏极电流(Id): N沟道的连续漏极电流额定值为1.03A,而P沟道为700mA,能满足不同电流承载需求。
  • 栅源极阈值电压(Vgs(th)): N沟道的阈值电压为900mV @ 250µA,保证了良好的开关性能。
  • 漏源导通电阻(RDS(on)): 在200mA和5V条件下,最大导通电阻为480mΩ,确保了低功耗损耗和高效能。
  • 功率耗散(Pd(max)): 在25°C环境温度下最大功率耗散为450mW,使得该产品能够在相对高的功率条件下可靠运行。
  • 工作温度: 组件的工作温度范围为-55°C至150°C,适合在严苛环境中操作。
  • 封装类型: SOT-563表面贴装型封装,提供优良的散热性能和占用空间的小巧设计。

三、应用领域

DMC2400UV-13 MOSFET广泛应用于以下领域:

  1. 电源管理: 适用于直流-直流变换器、开关电源和充电器中,以提高能量转换效率。
  2. 便携式设备: 由于其小巧的封装和低功耗特性,非常适合用于智能手机、平板电脑及其他便携设备。
  3. 电动机控制: 作为电动机驱动电路中的开关元件,DMC2400UV-13可以有效控制电动机的启停和调速。
  4. 高频开关电源: 在高频场合下,其低的导通电阻和输入电容,使其在高频开关电源中表现出色,有效减少开关损耗。
  5. 家用电器: 在家电产品中,DMC2400UV-13能够用于实现高效能的开关控制。

四、竞争优势

DMC2400UV-13在市场中提供的竞争优势包括:

  • 低功耗特性: 相较于传统MOSFET,该产品通过降低导通电阻和提高开关速度,有效减少功耗,为设计中的能效提升贡献良多。
  • 高温稳定性: 其广泛的工作温度范围使其在高温或低温环境下都能保持优良性能,适用于多种工业和消费电子应用。
  • 小型化设计: SOT-563封装使得该产品可以轻松集成到空间受限的电路板上,适应现代电子产品小型化的发展趋势。

五、总结

作为DIODES(美台)出品的高效场效应管,DMC2400UV-13以其卓越的电气性能、宽广的工作温度范围以及小巧的封装尺寸,在多种应用场景下提供了可靠的解决方案。无论是在电源管理、便携式设备、高频应用还是电动机控制中,这种MOSFET都能提供出色的性能和高效能,适合现代电子产品设计的需求。