DF10S-T 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

DF10S-T

商品编码: BM0000283271
品牌 : 
DIODES(美台)
封装 : 
DF-S
包装 : 
编带
重量 : 
0.611g
描述 : 
整流桥 1.1V@1A 1kV 10uA@1kV 1A DF-S
库存 :
2007(起订量1,增量1)
批次 :
2年内
数量 :
X
1.16
按整 :
圆盘(1圆盘有1500个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.16
--
100+
¥0.893
--
750+
¥0.744
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述

DF10S-T参数

反向峰值电压1000V平均整流电流(Io)1A
正向压降(Vf)1.1V @ 1A二极管类型单相
技术标准电压 - 峰值反向(最大值)1kV
电流 - 平均整流 (Io)1A不同 If 时电压 - 正向 (Vf)1.1V @ 1A
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏10µA @ 1000V工作温度-65°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳4-SMD,鸥翼
供应商器件封装DF-S

DF10S-T手册

DF10S-T概述

DF10S-T 产品概述

产品名称: DF10S-T
品牌: DIODES (美台)
封装类型: DF-S
安装类型: 表面贴装型 (SMD)

1. 产品背景

DF10S-T 是一款高性能的整流二极管,专为各种电子设备中的整流应用而设计。它适用于需要高电压和稳定整流性能的场景,是电源管理、充电器及其他自动化设备中的理想选择。

2. 主要功能参数

  • 反向峰值电压 (VR): 1000V
  • 平均整流电流 (Io): 1A
  • 正向压降 (Vf): 1.1V @ 1A
  • 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 10µA @ 1000V
  • 工作温度范围: -65°C ~ 150°C (TJ)

3. 技术规格分析

  • 反向峰值电压 (VR): DF10S-T 支持高达 1000V 的反向电压,非常适合需要大电压处理的应用,如交流-直流转换器和逆变器。
  • 平均整流电流 (Io): 该二极管具有 1A 的平均整流电流能力,能够应付一般的低至中等功率电子设计。
  • 正向压降 (Vf): 在工作电流为 1A 时,正向压降为 1.1V,较低的正向压减少了整流过程中的功耗,使其更加高效。
  • 反向泄漏电流: 10µA 的反向泄漏电流在高电压情况下表现优越,有效降低了功耗和发热,有助于提高设备的整体效率和稳定性。
  • 工作温度: 其广泛的工作温度范围使得 DF10S-T 可适用于多种环境,特别是在高温或极低温度的应用中。

4. 应用领域

DF10S-T 二极管广泛应用于以下领域:

  • 电源管理: 在电源转换器中作为整流器使用,确保电流的有效转换。
  • 充电器: 适用于手机、平板和其他电子设备充电器中,能有效处理输入高电压。
  • 逆变器: 用于太阳能逆变器或电动车辆的电流整流与转换,确保能量的高效利用。
  • 自动化设备: 在工业自动化控制系统中,作为信号整流和保护电路,增强系统的稳定性。

5. 安装与兼容性

DF10S-T 采用 DF-S 封装,适合表面贴装 (SMD) 应用,易于自动化生产线的集成。同时,该器件的选择与其他标准电子元器件兼容,允许在现有电路中灵活替换,减少设计成本与时间。

6. 性能优势

DF10S-T 的设计充分考虑了现代电子系统对小型化、高效能的需求,相较于传统的二极管,DF10S-T 提供了更高的电压与流经能力,降低了系统设计的复杂性并提升了整体可靠性。同时,其低正向压降特性确保了能效,适合在节能型设备中广泛使用。

7. 结论

DF10S-T 整流二极管以其卓越的性能和适应性,是现代电子设备中不可或缺的组件。无论是家用电器、消费电子产品,还是更复杂的工业设备,DF10S-T 都展现出高效、稳定的整流能力,并将继续引领整流器领域的技术发展。选择 DF10S-T,您将能够应对各种高电压和高功率的挑战,推动您的设计走向成功。