SIR662DP-T1-GE3
SIR662DP-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.7 毫欧 @ 20A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4365pF @ 30V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 96nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 功率耗散（最大值） | 6.25W（Ta），104W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
SIR662DP-T1-GE3手册
SIR662DP-T1-GE3概述
SIR662DP-T1-GE3 产品概述
一、产品简介
SIR662DP-T1-GE3 是由威世（VISHAY）生产的一款高性能 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），专为高效率开关电源和快速开关应用而设计。该器件采用表面贴装型封装，符合现代电子设备对小型化和高效能的需求，特别是在空间受限的应用场景中表现优异。
二、关键特性
导通电阻：在 10V 的栅极驱动电压下，导通电阻（Rds(on)）可低至 2.7 毫欧，保证了 MOSFET 在大电流（20A）情况下的低能耗和高效率。这一特性使得 SIR662DP-T1-GE3 非常适合高功率负载的驱动，同时降低了发热量。
高电流承受能力：该 MOSFET 支持 60A 的连续漏极电流（在 25°C 的条件下），使其能够在高负载条件下稳定工作。此外，最大的功率耗散能力为 6.25W（TA）和 104W（TC），大大提升了器件的热管理能力。
广泛的工作温度范围：SIR662DP-T1-GE3 的工作温度范围在 -55°C 到 150°C 之间，使其适用于各种极端环境，保证了设备的稳定性和可靠性。
输入能力和驱动电压：在最大漏源电压（Vdss）为 60V 的情况下，输入电容（Ciss）为 4365pF @ 30V，且栅极电荷（Qg）为 96nC @ 10V，这一组参数表明该 MOSFET 在开关速度和驱动要求上表现优越，适合高频应用。
栅极源极阈值电压：最大栅源阈值电压（Vgs(th)）为 2.5V @ 250µA，这意味着可以通过较低的驱动电压实现导通，进一步提升了电源管理的灵活性。
封装与安装：采用 PowerPAK® SO-8 封装，适合表面贴装技术（SMT），极大地便于自动化焊接和密集布局的要求。
三、应用领域
SIR662DP-T1-GE3 MOSFET 广泛应用于：
开关电源：由于其高效率和优秀的导通特性，SIR662DP-T1-GE3 非常适合用于各种开关电源，同时也具备了较低的开关损耗。
电机驱动：高电流能力使其在电机驱动应用中表现出色，尤其是在需要快速切换的场景下。
LED 驱动器：高效率和稳定性使该器件在 LED 照明驱动中大有可为，可以有效降低能耗。
电池管理系统：在电池管理系统中此器件能提供高效的电流控制和可靠的过流保护，确保电池的安全性和稳定性。
四、总结
SIR662DP-T1-GE3 是一款在高效能和多功能应用中表现优异的 N 沟道 MOSFET。其设计优点使其成为开关电源、LED 驱动以及电机驱动等领域的理想选择。针对现代电子产品在能效和小型化方面的挑战，SIR662DP-T1-GE3 以其卓越的电气性能和可靠性，无疑为电子设计提供了一种强大的解决方案。选择 SIR662DP-T1-GE3，不仅可以帮助企业实现更高的系统效率，还能在日益激烈的市场竞争中占得先机。