SIHA21N65EF-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220-3 整包
包装 :
管装
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 35W 650V 21A 1个N沟道 TO-220
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
11.2按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥11.2
--
100+
￥9.49
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
SIHA21N65EF-E3参数
| 封装/外壳 | TO-220-3整包 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 650V | 栅源电压 Vgss | ±30V |
| 安装类型 | 通孔(THT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 650V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 21A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 11A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 106nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±30V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2322pF @ 100V | 功率耗散（最大值） | 35W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | TO-220 整包 |
SIHA21N65EF-E3手册
SIHA21N65EF-E3概述
SIHA21N65EF-E3 产品概述
产品简介
SIHA21N65EF-E3是VISHAY（威世）公司推出的一款高性能N沟道金属氧化物场效应晶体管（MOSFET），它采用TO-220-3封装，适用于各种高压和高电流的应用场合。这款MOSFET的额定电压为650V，连续漏极电流达到21A，功率耗散能力为35W，广泛应用于电源转换、马达驱动、开关电源和其他工业电子设备中。
主要特性
高电压和高电流能力：
- SIHA21N65EF-E3的漏源极电压（V_dss）高达650V，使其能够在各种要求高电压的应用中稳定工作。同时，其连续漏极电流（I_d）达到21A（在结温Tc下），提供了良好的导电性能。
低导通电阻：
- 该器件在11A和10V条件下，最大导通电阻（R_ds(on)）为180毫欧，这意味着在工作过程中能量损耗较小，有助于提高系统的效率和散热性能。
宽广的工作温度范围：
- SIHA21N65EF-E3的工作温度范围从-55°C到150°C，适应各种严苛环境条件，确保其在极端条件下也能正常运行。
高栅极驱动电压：
- 此MOSFET的最大栅源电压需确保在±30V之内，这使得设计者能够灵活选择适合的栅极驱动电路。
适中的栅极电荷：
- 在10V的栅源电压下，栅极电荷（Q_g）最大值为106nC，使得驱动电路设计相对简单，并且能够有效地减小开关损耗。
较大的输入电容：
- 在100V的漏源电压下，其输入电容（C_iss）最大值为2322pF，合理的输入电容使得其在高频应用中具备更好的性能。
应用场景
SIHA21N65EF-E3适合用于多种应用，包括但不限于：
开关电源： 其高效率和高功率处理能力使得这款MOSFET成为开关电源设计中的理想选择，能够有效降低能量损耗并提高系统稳定性。
马达控制： 由于其能够处理高电流且具备良好的导电性能，使其在马达驱动应用中表现出色，能够控制各种类型的电动机，如直流电动机和步进电动机。
照明驱动： 用于LED照明和其他照明设备的驱动阶段，能够确保在长时间运行下的可靠性和安全性。
电源管理系统： 其在高功率应用中的优势，特别适合用于不间断电源（UPS）和电池管理系统（BMS），能够提高系统的安全性和可靠性。
总结
SIHA21N65EF-E3是VISHAY推出的一款功能强大的N沟道MOSFET，凭借其650V的高电压、21A的电流能力及优秀的导通特性，成为电源管理和电动机控制应用中的重要选择之一。在确保器件长时间稳定工作的同时，还具备良好的散热和能效表现，适用于各种工业和商用电子产品，是现代电源设计不可或缺的基础元件之一。