封装/外壳 | 4-XFBGA,CSPBGA | FET类型 | N沟道 |
漏源极电压(Vdss) | 20V | 栅源电压 Vgss | ±8V |
安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
技术 | MOSFET(金属氧化物) | 漏源电压(Vdss) | 20V |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 1.5V,4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 80 毫欧 @ 1A,4.5V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 8.3nC @ 8V |
Vgs(最大值) | ±8V | 功率耗散(最大值) | 500mW(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 供应商器件封装 | 4-Microfoot |
产品概述:SI8800EDB-T2-E1 N沟道MOSFET
基本信息
SI8800EDB-T2-E1是由VISHAY(威世)公司制造的一款高性能N沟道金属氧化物场效应管(MOSFET)。这款器件采用先进的半导体技术,具有出色的电性能和相对较低的导通电阻,适用于多种高频开关及线性应用。
主要规格
封装类型:这款MOSFET采用4-XFBGA表面贴装封装,具有较小的尺寸和较低的轮廓,适合需要空间优化的电路设计。同时,4-Microfoot封装为高密度和高性能应用提供了可靠的解决方案。
最大漏源极电压(Vdss):该器件的漏源电压高达20V,适合低电压电源管理和驱动应用。
栅源电压(Vgss):设计中的栅源电压范围为±8V,符合现代电源管理电路的需求。
导通电阻(Rds(on)):在4.5V的栅极驱动电压下,最大导通电阻为80毫欧@1A,保证了在负载情况下的良好导电性能。
阈值电压(Vgs(th)):该元件的阈值电压为1V @ 250µA,意味着在较低的栅电压下也能够稳定开启,节省了功耗。
栅极电荷(Qg):在8V时,栅极电荷最大值为8.3nC,这使得该器件在高频应用中拥有良好的开关速度和低驱动功耗。
功率耗散:该MOSFET的最大功率耗散为500mW,能够在较广泛的温度范围内正常工作。
工作温度:其工作温度范围为-55°C到150°C,适用于极端环境中严格的工作条件。
应用场景
SI8800EDB-T2-E1适用于多种应用场景,包括但不限于:
由于其出色的电性能和热管理性能,该MOSFET被广泛应用于工业、汽车和消费电子等领域,尤其是在那些需要低功耗、高效率和紧凑设计的应用中。
总结
SI8800EDB-T2-E1是一种可靠、高效的N沟道MOSFET,其紧凑的封装和优异的电气特性使其成为现代电子设计中的重要器件。其耐高温、低导通电阻和广泛的应用范围,使其在电源管理及信号开关等领域表现出色。选择SI8800EDB-T2-E1,可以有效提高电路的整体性能和可靠性,为客户带来显著的应用价值。