SI7852DP-T1-GE3
SI7852DP-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 7.6A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA(最小) | 漏源导通电阻 | 16.5mΩ @ 10A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.9W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 7.6A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 16.5 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA（最小） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 41nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 功率耗散（最大值） | 1.9W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
SI7852DP-T1-GE3手册
SI7852DP-T1-GE3概述
产品概述：SI7852DP-T1-GE3 N沟道MOSFET
概要
SI7852DP-T1-GE3是一款高性能N沟道场效应管（MOSFET），由VISHAY（威世）供应。这款MOSFET主要用于高效功率管理和开关电源设计，具有出色的电气性能和热性能，适用于各种工业、消费电子、汽车等应用场景。其采用PowerPAK® SO-8封装，极大地提高了热效率和空间利用率，是现代电子设计中不可或缺的组件之一。
关键参数
- 漏源电压 (Vdss): 80V
- 连续漏极电流 (Id): 7.6A (在25°C时)
- 栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 2V @ 250µA (最小)
- 漏源导通电阻 (Rds(on)): 16.5 mΩ @ 10A, 10V
- 最大功率耗散: 1.9W (在环境温度25°C时)
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 安装类型: 表面贴装型
- 封装类型: PowerPAK® SO-8
特性与优势
低导通电阻: SI7852DP-T1-GE3的导通电阻(Rds(on))为16.5 mΩ，低导通电阻意味着在通电时能显著减少功耗并提高效率。这对电源管理和高频开关应用至关重要，使得该MOSFET能够承受更高的电流而不会产生过多的热量。
高电压与大电流处理能力: 最大漏源电压为80V，且能够支持7.6A的连续漏极电流，这使得它非常适合于需要高电流和高电压的应用场合。
阈值电压与驱动兼容性: 该MOSFET的栅源极阈值电压为2V，确保可以与多种驱动电压兼容（支持6V至10V的驱动电压），这为电路设计提供了更大的灵活性和兼容性。
优异的热管理性能: 最大功率耗散为1.9W，且具有广泛的工作温度范围（-55°C至150°C），使得该MOSFET能够在极端条件下稳定工作，非常适合恶劣环境下的应用。
高电荷特性: 在10V的栅驱动下，栅极电荷(Qg)为41nC，这有助于提高开关速度，适用于高频开关应用，降低了开关损耗。
应用领域
SI7852DP-T1-GE3 MOSFET广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 开关电源: 用于DC-DC转换器、AC-DC电源中的开关元件。
- 马达驱动电路: 适用于直流电机驱动和伺服控制系统。
- 电源管理: 用于高效率的电源管理方案，提升整体系统能效。
- 汽车电子: 在汽车电子设备中提供高可靠性和效率，如电池管理系统、充电器等。
结论
综合以上特点，SI7852DP-T1-GE3 N沟道MOSFET以其优异的电气性能和热管理能力，成为高现代电子设计中极具价值的选项。其适用范围广泛、效率高，能够满足各类应用对高效能和可靠性的需求，是电子工程师所青睐的电子元件之一。在设计电源系统、驱动电路或者高频开关应用时，该MOSFET绝对能提供可靠的解决方案。