SI7806ADN-T1-GE3

SI7806ADN-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI7806ADN-T1-GE3 是 VISHAY（威世）公司推出的一款高性能 N 沟道 MOSFET，采用 PowerPAK® 1212-8 封装，专为需要高效能、高可靠性的电路设计而设计。该 MOSFET 的漏源极电压（Vdss）为 30V，具有高达 9A 的连续漏极电流（Id），适用于各种电子设备和电源管理应用。

二、主要特性

1. 封装与外形：

   • 封装类型为 PowerPAK® 1212-8，具备良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合表面贴装（SMT）技术，便于自动化生产和装配。

2. 电气特性：

   • 漏源极电压（Vdss）：30V，适合低压应用。
   • 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下可以提供高达 9A 的电流，表现出色。
   • 驱动电压（Vgs）：支持 4.5V 和 10V 驱动两种电压，适应不同的驱动需求。
   • 导通电阻（Rds(on)）：最大值为 11 毫欧（at 14A, 10V），实现高效的功率传输，降低了功耗和热量。

3. 开关特性：

   • 栅极电荷（Qg）：最大值为 20nC（at 5V），使得其开关速度极快，适合高频开关应用。
   • 截止电压（Vgs(th)）：最大值为 3V（@ 250µA），确保在低电压下实现可靠的开关控制。

4. 功率与温度管理：

   • 功率耗散能力高达 1.5W，适合多种功率管理应用。
   • 工作温度范围宽广，从 -55°C 到 150°C（TJ），适应各种严苛环境。

5. 质量与可靠性：

   • VISHAY 作为知名的电子元器件制造商，对产品的质量和可靠性有严格的控制标准，使得 SI7806ADN-T1-GE3 在不同应用场景下都有优异表现。

三、应用领域

SI7806ADN-T1-GE3 MOSFET 由于其卓越的电气特性和良好的热管理能力，广泛应用于以下领域：

1. 电源管理：作为开关元件，在 DC-DC 转换器、AC-DC 转换器中用于控制电源的开关，提供高效率的电力传输。

2. 电机驱动：适用于电机控制、步进电机驱动等场合，能够快速响应和处理高电流需求。

3. 照明控制：在LED驱动电路中用作开关元件，能够提高照明效率和延长照明设备的使用寿命。

4. 便携式设备：由于其小型化设计，适合用于各类便携式设备，如智能手机、平板电脑等，帮助提升功效与续航能力。

5. 电池管理系统（BMS）：在电池充放电过程中作为开关元件，确保电池的安全和效率。

四、结论

综上所述，SI7806ADN-T1-GE3 是一款高效能的 N 沟道 MOSFET，具备 30V 的漏源极电压、9A 的连续漏极电流以及宽广的工作温度范围。其低导通电阻和快速开关特性使其在电源管理、电机驱动、照明控制等多个领域成为理想的选择。作为 VISHAY 精心设计和制造的产品，SI7806ADN-T1-GE3 代表了高性能 MOSFET 在现代电子设计中的重要地位，能够满足高效能和高可靠性的应用需求。