SI7658ADP-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® SO-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 83W；5.4W 30V 60A 1个N沟道 SO-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
23+数量 :
X
3.88按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.88
--
100+
￥3.23
--
750+
￥2.99
--
1500+
￥2.85
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7658ADP-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 60A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.2 毫欧 @ 20A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 110nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4590pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 5.4W（Ta），83W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
SI7658ADP-T1-GE3手册
SI7658ADP-T1-GE3概述
产品概述：SI7658ADP-T1-GE3 N沟道MOSFET
一、产品介绍
SI7658ADP-T1-GE3 是威世（Vishay）公司生产的一款高性能 N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），采用 PowerPAK® SO-8 封装。这款 MOSFET 以其出色的电气性能和高功率处理能力，广泛应用于电源管理、开关电源、DC-DC 转换器和功率放大器等领域。其设计和规格使其能在高压和高电流应用中表现出色。
二、关键参数
- 封装/外壳：PowerPAK® SO-8，这种紧凑型封装有助于提高空间利用率，并降低电路板的整体面积。
- FET类型：N沟道，提供高导电性，适合高效的开关操作。
- 漏源极电压（Vdss）：30V，适用于多种中低压应用。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境下，最大可达 60A（Tc），在高负荷条件下表现良好。
- 栅源电压（Vgss）：最大±20V，确保在不同设计需求下的兼容性和安全性。
- 导通电阻（Rds(on)）：在 10V 的栅电压下，2.2 毫欧的导通电阻值显示出极低的功率损耗，提高了整体效率。
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ），使其适合在极端温度条件下工作，适合航空、汽车及工业控制等应用。
- 功率耗散：最大为 5.4W（Ta）及 83W（Tc），保证了 MOSFET 在持续负载下的稳定性和可靠性。
三、性能特点
- 高效能：SI7658ADP-T1-GE3 具有良好的开关速度及低导通电阻，能够在高频率和高电流环境中有效降低热损耗。
- 可靠性强：设计具备广泛的工作温度范围，为高可靠性应用提供保障，亦符合汽车认证要求。
- 优异的栅极电荷特性：最大栅极电荷 (Qg) 为 110nC 在 10V 下，降低了驱动电路的复杂性，适合用于频繁开关的应用场景。
- 适应性强：由于其多样化的电气规格，这款 MOSFET 可广泛适用于电源管理、DC-DC 变换器、汽车电子等多个领域。
四、应用领域
SI7658ADP-T1-GE3 N沟道 MOSFET 通常应用于以下领域：
- 电源管理：用于电源转换和分配，优化功率效率。
- 开关电源：提升开关电源的性能和稳定性，降低开关损失。
- DC-DC 转换器：提供高效的电压转换，确保供电系统的稳定性。
- 电动汽车及混合动力汽车：作为动力驱动控制电路中的关键元件，提供高效电流传输。
- 工业控制系统：在机械设备和自动化控制中提供稳定的电流控制。
五、总结
总体而言，SI7658ADP-T1-GE3 是一款高性能的 N沟道 MOSFET，具备出色的电气特性、低导通电阻和良好的热管理能力，适合于各类高效能电源应用。其稳定性和可靠性使其成为多种电子产品中的理想选择，从日常消费电子到复杂的工业系统均有广泛应用。无论是在选型还是在应用设计中，选择 SI7658ADP-T1-GE3 都会是一个明智的决策。