SI7619DN-T1-GE3
SI7619DN-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 24A |
| 栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 21mΩ @ 10.5A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 3.5W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 24A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 21 毫欧 @ 10.5A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 50nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1350pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 3.5W（Ta），27.8W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 | 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7619DN-T1-GE3手册
SI7619DN-T1-GE3概述
SI7619DN-T1-GE3 产品概述
SI7619DN-T1-GE3 是由VISHAY（威世）公司提供的一款高性能P沟道MOSFET，广泛应用于电源管理、负载开关和电动机驱动等领域。该器件在电动汽车、便携式设备及工业控制系统等各种应用场景中表现出色，因其优良的电气性能和强大的散热能力而备受青睐。
1. 重要参数
SI7619DN-T1-GE3具备以下关键参数，使其在众多应用中具有竞争力：
漏源电压（Vdss）: 最高可达到30V。这一数值表明该器件能够承受较高的漏源电压，适合多种电源管理应用。
连续漏极电流（Id）: 在25°C条件下，SI7619DN-T1-GE3的连续漏极电流最大可达24A，确保在高负载条件下也能稳定工作。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 为3V @ 250µA，表明该器件在较低的栅电压下即可启动，具备良好的驱动特性。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 在10.5A、10V的控制下，导通电阻为21mΩ，这能够有效降低功耗，提高效率。
功率耗散: 在25°C的环境温度下，最大功率耗散可达到3.5W，而在结温Tc下可达27.8W，表明器件具备优良的散热性能。
工作温度范围: -55°C到150°C的工作温度范围，使得该MOSFET能够在极端环境中正常运行，为其在工业及汽车应用中提供了更大的适用性。
2. 封装与安装
SI7619DN-T1-GE3采用PowerPAK® 1212-8表面贴装封装。这种封装形式有助于优化散热和空间利用率，适合高密度电路设计。同时，表面贴装技术（SMT）还可以提高自动化生产的效率，降低生产成本。
3. 应用领域
由于其性能特点，SI7619DN-T1-GE3在多种应用领域具有广泛的适用性，包括但不限于：
电源管理: 在开关电源、同步整流、DC-DC变换器等应用中，SI7619DN-T1-GE3可作为主开关元件，切换效率高且导通电阻低，有效降低功耗。
负载开关: 该器件担任负载开关时，可实现对大电流负载的高效控制，适合在便携式设备和其他电源管理应用中使用。
电动机驱动: 在电动机控制系统中，SI7619DN-T1-GE3可用于高效控制电动机的启动与停止，提高系统的灵活性和响应速度。
4. 性能优势
SI7619DN-T1-GE3具有出色的门极电荷（Qg）值，最大仅为50nC，这使得在快速开关时保持低通态损耗，提升系统的整体效率。此外，其高输入电容（Ciss）值为1350pF @ 15V，充分说明该器件在高频应用中的良好表现，能够适应现代电子设备对高频特性的需求。
5. 结论
综上所述，SI7619DN-T1-GE3是一款极具竞争力的P沟道MOSFET，其优良的电气性能及可靠性使其成为电源管理和负载开关等领域的理想选择。凭借其高漏电流能力、语言阈值、电阻性能以及强大的散热能力，SI7619DN-T1-GE3能够满足各种现代电子应用的需求，从而为工程师提供了极大的设计灵活性与效率保障。