SI7326DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.5W 30V 6.5A 1个N沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.58按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.58
--
100+
￥1.22
--
750+
￥1.02
--
1500+
￥0.924
--
3000+
￥0.848
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7326DN-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 19.5 毫欧 @ 10A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 5V |
| Vgs（最大值） | ±25V | 功率耗散（最大值） | 1.5W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7326DN-T1-GE3手册
SI7326DN-T1-GE3概述
产品概述：SI7326DN-T1-GE3 N沟道MOSFET
引言
SI7326DN-T1-GE3 是一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商VISHAY（威世）生产。该器件采用PowerPAK® 1212-8封装，适合于多种现代电子应用，特别是在电源管理和高频开关应用中表现出色。
基础参数
- 封装/外壳：PowerPAK® 1212-8
- 类型：N沟道MOSFET
- 漏源极电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：6.5A（在25°C环境温度下）
- 驱动电压：4.5V，10V（最大Rds On）
- 导通电阻（Rds On）：最大19.5毫欧 @ 10A，10V
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大1.8V @ 250µA
- 栅极电荷（Qg）：最大13nC @ 5V
- 最大栅源极电压（Vgs）：±25V
- 功率耗散（Pdmax）：1.5W（在环境温度下）
- 工作温度范围：-55°C 至 150°C（结温TJ）
性能特征
SI7326DN-T1-GE3的设计旨在提供卓越的电性能。其导通电阻（Rds On）在特定的Id和Vgs下保持在较低水平，使得其在高电流和高电压应用中运行效率较高。此外，低栅极电荷（Qg）和较低的阈值电压（Vgs(th)）使得MOSFET在开关速度和驱动效率方面表现优异，适合使用在高频开关转换器中。
应用场景
由于该MOSFET的广泛工作温度范围及高达1.5W的功率耗散能力，使其在电源管理、电机驱动、DC-DC转换器、LED驱动及汽车电子等应用中都有着极大的适用性。SI7326DN-T1-GE3不仅适合用于标准的消费电子类设备，还可在严苛环境下的工业设备中使用，充分满足高温和高负载条件下的需求。
可靠性与支持
VISHAY作为一家著名的半导体制造商，对其产品进行严格的质量控制，保障了SI7326DN-T1-GE3的长期稳定性和可靠性。此外，VISHAY提供详尽的技术文档和应用支持，帮助工程师更好地集成该MOSFET于其设计中，确保最终产品的性能和可靠性。
结论
SI7326DN-T1-GE3是一款性能卓越的N沟道MOSFET，具有广泛的应用潜力和良好的电气特性。其特有的设计和制造工艺确保了其在各种条件下的长期稳定性，是现代电子设备中不可或缺的一部分。无论是在高效能电源管理、快速开关控制或高温环境的耐受力，SI7326DN-T1-GE3都是设计师在选择MOSFET时的优先考量。