SI7192DP-T1-GE3

产品概述：SI7192DP-T1-GE3 N沟道MOSFET

SI7192DP-T1-GE3是一款由VISHAY（威世）公司生产的高性能N沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），其设计专注于提供优越的电流传输能力与高效能的散热特性。该MOSFET的关键参数和特性使其在多种应用中成为理想选择，特别是在电源管理、开关电源、DC-DC变换器及电动机驱动器等领域。

基本参数

• 漏源电压（Vdss）：最大30V，具备良好的耐压性能，适用于低电压系统。
• 连续漏极电流（Id）：在25°C条件下，最大可达60A，这使得其在高负载条件下依然能够稳定运行。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：为2.5V（@ 250µA），提供良好的开关性能，适合低驱动电压要求的应用场景。
• 漏源导通电阻（Rds(on)）：在20A和10V驱动电压下的导通电阻为1.9mΩ，表明其在导通时的功耗非常低，可以有效减少热量生成，提高整体系统效率。
• 最大功率耗散：在环境温度25°C下，其最大功率耗散为6.25W，若在接触点（Tc）为25°C时可达104W，提供了良好的散热能力。

电气特性 SI7192DP-T1-GE3的输入电容（Ciss）在15V时的最大值为5800pF，确保其在高频开关场景下能够快速响应，提升开关速度和效率。此外，该器件的栅极电荷（Qg）最大值为135nC（@ 10V），在驱动方面表现出色，适合高频开关应用。它的Vgs最大值为±20V，展示了该器件的良好稳定性与耐受能力，适用于各种电驱动设计。

工作环境 该MOSFET适用于恶劣的工作环境，其工作温度范围为-55°C到150°C，能够满足多种工业和汽车应用的高温或低温要求。

封装特性 SI7192DP-T1-GE3采用PowerPAK® SO-8封装，支持表面贴装，为设计人员提供了更高的布局灵活性，并在狭小的空间中有效散热，适用于现代高性能电子产品的需求。该封装的紧凑设计确保了优良的电气性能与可靠性，更适合于需要高密度布置的电路板。

应用场景 凭借其卓越的规格和特性，SI7192DP-T1-GE3非常适合用于以下应用：

1. 电源管理：在DC-DC转换器及各种电源开关电路中，以其低导通电阻和高连续电流能力，提供高效率的电源设计。
2. 电动机驱动：在电机控制电路中，该MOSFET能够处理大量的电流，承受频繁开关的挑战，保证高效能驱动。
3. 汽车电子：其高温性能和稳压特性使其在汽车电子应用（如电池管理系统和电源分配模块）中表现出色。
4. 消费电子：在各类消费电子产品中，作为开关器件，提升系统的整体响应速度和效率。

总之，SI7192DP-T1-GE3 N沟道MOSFET凭借其卓越的电气性能、稳定的工作特性以及广泛的应用领域，成为工程师和设计人员在追求高性能和高效能设计的理想选择。无论是在工业、汽车，还是消费电子产品的设计中，该MOSFET都能满足现代电子设备对于高效率和可靠性的严格要求。