注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
SI7129DN-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
PowerPAK® 1212-8
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 3.8W；52.1W 30V 35A 1个P沟道 PowerPAK1212-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
22+数量 :
X
1.67按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.67
--
100+
￥1.33
--
750+
￥1.2
--
1500+
￥1.13
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI7129DN-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 30V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 35A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 11.4 毫欧 @ 14.4A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 71nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3345pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 3.8W（Ta），52.1W（Tc） |
| 工作温度 | -50°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
SI7129DN-T1-GE3手册
SI7129DN-T1-GE3概述
产品概述：SI7129DN-T1-GE3
引言
SI7129DN-T1-GE3是一款高性能的P沟道MOSFET，采用VISHAY（威世）品牌出品，封装类型为PowerPAK® 1212-8。这款MOSFET以其出色的电气性能和广泛的适用性，适合用于各种电子电路和应用，包括功率管理、电源转换和马达驱动等。
关键规格
电压与电流参数
- 漏源极电压（Vdss）: 30V，意味着该MOSFET能够承受高达30伏的漏源电压，适合于大多数低压应用。
- 25°C时的连续漏极电流（Id）为35A（在适当的散热条件下），提供强大的电流承载能力，非常适合高功率需求的电路设计。
栅源极电压与触发特性
- Vgs（±20V）: 最大栅源极电压为±20伏，确保了在多种驱动电压条件下的稳定工作。
- Vgs(th)最大值为2.8V @ 250µA，显示了较低的栅极阈值电压，使得该MOSFET在较低电压时也能够导通，提升了其在低电压应用中的适用性。
导通电阻与驱动条件
- 在10V时，导通电阻（Rds(on)）最大值为11.4毫欧（@ 14.4A），这一性能参数确保了在高电流下的低功耗，从而提升了系统的整体效率。
- 此外，该MOSFET支持多种驱动电压（4.5V和10V），为设计师提供了更多灵活性。
电容与电荷特性
- 输入电容（Ciss）最大值为3345pF（@15V），提供了良好的快速开关性能。
- 栅极电荷（Qg）最大值为71nC（@10V），对于高频开关应用，能够有效降低开关损耗。
功率和温度处理能力
- 最大功率耗散（Ta）为3.8W，最大功率耗散（Tc）为52.1W，这使得SI7129DN-T1-GE3在相对较高的环境温度下依然能够高效工作。
- 工作温度范围为-50°C至+150°C，适用于严苛的环境条件。
应用场景
SI7129DN-T1-GE3特别适合于电源管理、电机驱动、高效开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、以及其它需要高效、稳健且快速响应的电力电子应用。此外，由于其广泛的工作温度范围和高电流承载能力，该MOSFET能够在汽车电子、工业控制及消费电子等领域中泛用。
结论
综合而言，SI7129DN-T1-GE3是一款具有卓越性能的P沟道MOSFET，符合现代高效电子设计的需求。其出色的电气特性、结构紧凑的PowerPAK® 1212-8封装，以及广泛的应用适应性，使其成为设计师在选择MOSFET时的一款理想选择。助力各种电子产品更高效、更可靠的运行，推动电子技术的前进。