SI5403DC-T1-GE3

产品概述：SI5403DC-T1-GE3

简介

SI5403DC-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，专为多种应用场景设计，能够在复杂的电子设备中实现高效能和可靠性。由威世（Vishay）公司生产，该器件采用先进的金属氧化物半导体技术（MOSFET），在连续漏极电流和操作温度范围方面表现优异，广泛应用于电源管理、开关电源、负载开关和自动化控制等领域。

基本规格

• 漏源电压（Vdss）: 最高 30V，意味着该元件在最大漏-源电压下能够安全操作。
• 连续漏极电流（Id）: 在 25°C 条件下可承载最高 6A 的电流（Tc），保证了设备在动态负载下的稳定性。
• 栅源极阈值电压: 3V @ 250µA，表示器件在此电压下开始导通，适合低电压应用。
• 漏源导通电阻: 在 10V 驱动下，Rds(on) 为 30 毫欧 @ 7.2A，具备优秀的导通性能，确保能效最大化与热量最小化。
• 最大功率耗散: 在环境温度 Ta = 25°C 时可达 6.3W (Tc)，适合高功率密度的场合。
• 工作温度范围: -55°C 至 150°C，确保元件在严苛条件下仍能稳定工作。
• 安装类型: 表面贴装型，支持现代电子设备中高密度的电路设计。
• 封装/外壳: 采用 1206-8 ChipFET™ 封装，具有较小的占用面积且便于散热。

电气特性

• 驱动电压: 为了达到最小和最大 Rds(on)，所需的驱动电压分别为 4.5V 和 10V，适合多种逻辑电平的驱动。
• 栅极电荷 (Qg): 在 10V 驱动下，栅极电荷最大值为 42nC，这一特性能够降低开关损耗，提高电路的整体性能。
• 输入电容 (Ciss): 对于 15V 工作条件下的输入电容而言，最大值为 1340pF，确保高速开关操作。

应用领域

SI5403DC-T1-GE3 MOSFET 具有广泛的应用领域，包括但不限于：

1. 电源管理: 可以用于开关电源中的高效电源转换，提升能效比。
2. 负载开关: 通过控制高电流负载，为各种消费电子产品提供便利。
3. 电动工具与家电: 在高负载应用中保持电气安全。
4. 自动化系统: 适用于各类控制和保护电路。

优势与特性

• 高效能: 低导通电阻和高功率耗散能力确保设备运行高效，延长使用寿命。
• 小型封装: 1206-8 ChipFET™ 封装结合出色的散热特性，使其适用于空间受限的应用环境。
• 宽工作温度范围: 从 -55°C 到 150°C 的稳定性能适应极端使用条件，确保各种环境下的可靠性。
• 子米级精度: 适用于要求高精度和高响应速率的电子设备。

总结

SI5403DC-T1-GE3 是一款集高效率、可靠性及较强通用性的 P 通道 MOSFET 产品。无论是在工业、消费类电子产品还是在汽车电子市场，都能展现出其卓越的性能与质量。凭借威世在半导体领域的深厚技术积累及创新能力，该 MOSFET 为设计师和工程师提供了坚实的支持，有效满足现代电子应用不断升级的需求。