SI4850EY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.262g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.7W 60V 6A 1个N沟道 SO-8
库存 :
1789(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
4.19按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.19
--
100+
￥3.49
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1250+
￥3.18
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37500+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4850EY-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 22 毫欧 @ 6A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6A（Ta） | FET 类型 | N 通道 |
| Vgs（最大值） | ±20V | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 27nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 60V |
| 功率耗散（最大值） | 1.7W（Ta） | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
SI4850EY-T1-GE3手册
SI4850EY-T1-GE3概述
SI4850EY-T1-GE3 产品概述
产品名称: SI4850EY-T1-GE3
品牌: VISHAY（威世）
封装类型: 8-SO (表面贴装型)
基本特性
SI4850EY-T1-GE3 是一款高性能的N沟道MOSFET，设计用于在各种电子应用中提供卓越的开关和放大功能。作为一种表面贴装型器件，这款MOSFET具备紧凑的封装，方便PCB布局设计，特别适用于空间受限的电子设备。
关键参数
- 导通电阻 (Rds(on)): 在6A电流和10V栅极电压下，导通电阻最大值为22毫欧。这表明该MOSFET在开启状态下提供低损耗，实现高效的能量转移，适合用于电源管理和其他高电流应用。
- 驱动电压（Vgs）: SI4850EY-T1-GE3的驱动电压范围为4.5V至10V，允许灵活的驱动条件，适合不同工作条件下的优化控制。
- 连续漏极电流 (Id): 在25°C环境温度下，该MOSFET能够承受最大6A的泄漏电流，足以满足大多数电源开关和负载驱动需求。
- 漏源电压 (Vdss): 该MOSFET的最大漏源电压为60V，使其能够在高电压系统中正常工作，具有良好的耐压性能。
- 工作温度: SI4850EY-T1-GE3可在-55°C到175°C的宽温范围内工作，适合军事、航空航天以及严酷环境下的应用。
电气特性
- 栅极电荷 (Qg): 在10V Vgs下，栅极电荷最大值为27nC，这意味着在开关频率较高的应用中，该MOSFET可以快速响应，提升整体效率。
- 阈值电压 (Vgs(th)): 在不同的漏电流条件下，该器件的最大阈值电压为3V@250µA，确保了在低电平信号下也能正常开启，为设计提供了极大的灵活性。
应用领域
SI4850EY-T1-GE3 的特点使其适用于广泛的应用场景，包括但不限于：
- 电源管理: 在开关电源中作为开关元器件，能够有效控制电流流动，减少能量损耗，提升系统整体效率。
- 电动机驱动: 在电动机控制驱动电路中，作为主要的开关元件，实现高效的电源分配，能够承受较高的启动电流。
- 负载开关: 作为各种负载的开关元件，方便控制负载的通断，适用于家用电器和工业设备等。
- 信号放大器: 利用其良好的线性特性，该MOSFET可以在模拟电路中用作信号放大器，适用于音频包络处理及其他信号放大应用。
总结
SI4850EY-T1-GE3是VISHAY的一款高效、可靠的N沟道MOSFET，凭借其优良的电气特性和宽广的工作温度范围，非常适合用于多种电子应用。无论是在电源管理、电动机驱动还是负载开关中，它均能提供出色的性能，为设计师提供了更大的设计灵活性与系统效率提升的机会。在高频和高性能驱动电路中，SI4850EY-T1-GE3无疑是一个理想的选择。通过整合现代的表面贴装技术与VISHAY的可靠性，这款MOSFET将为各种电子产品的开发带来有效的支持。