SI4800BDY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.245g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1.3W 30V 6.5A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
8720(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
1.13按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥1.13
--
100+
￥0.866
--
1250+
￥0.733
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4800BDY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 6.5A |
| 栅源极阈值电压 | 1.8V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 18.5mΩ @ 9A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 18.5 毫欧 @ 9A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.8V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 13nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±25V |
| 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4800BDY-T1-GE3手册
SI4800BDY-T1-GE3概述
SI4800BDY-T1-GE3 MOSFET 产品概述
产品简介
SI4800BDY-T1-GE3 是由意法半导体（VISHAY）制造的一款高性能 N 沟道金属氧化物场效应管（MOSFET）。该器件的设计旨在满足各种功率管理和开关应用的需求，具有优异的电气特性和可靠性。作为一款表面贴装型元器件，SI4800BDY-T1-GE3 兼容现代电子产品的小型化和高效率要求。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）：最大为 30V，这使得该MOSFET在较低电压应用中表现卓越，能够满足多种小型功率电路需求。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 环境温度下，最大连续漏极电流为 6.5A，适合于中等功率的电流处理需求。
- 导通电阻（Rds On）：在 10V 的栅源电压和 9A 的漏极电流下，导通电阻最大为 18.5mΩ。这一低阻值意味着在正常工作条件下，可以减少功率损耗，提高整体电路的效率。
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：最小为 1.8V（@ 250µA），使该器件在低栅电压驱动下依然能够快速导通，适合于与低电平控制信号相结合的应用。
- 驱动电压：在 4.5V 至 10V 的栅源电压范围内工作良好，能够适应多种驱动电压设定。
- 功率耗散：在环境温度 25°C 时，最大功率耗散为 1.3W，为电路设计中提升散热性能提供了基础。
工作环境与可靠性
SI4800BDY-T1-GE3 的工作温度范围广泛，从 -55°C 到 150°C，使其在严苛环境下能够稳定工作。此外，该器件的封装为 SOIC-8，具有很好的散热能力和可靠性，适合自动贴装生产线（SMT）使用，降低了生产成本。
应用场景
SI4800BDY-T1-GE3 MOSFET 适用于多种电子电路，比如：
开关电源：其优良的导通电阻特性和可承受的电流范围使其适合用于 DC-DC 转换器等开关电源电路。
电机驱动：在电机控制应用中，该 MOSFET 可用于 H 桥配置以实现正反转控制。
电池管理系统：鉴于其低功耗和高效率特性，SI4800BDY-T1-GE3 可以在电池充放电控制系统中发挥重要作用。
消费电子：如移动设备、便携式音响等利用其小型化特点，使产品设计更为紧凑。
总结
SI4800BDY-T1-GE3 是一款设计优良的 N 沟道 MOSFET，具备多个优点，包括低导通电阻、广泛的工作温度范围以及适合各种应用的高电流能力。它出色的电气性能和可靠的封装设计，使其成为现代电子应用中的理想选择。其广泛的适用性及稳定性为设计工程师提供了极大的灵活性，能够满足高效率与高可靠性的系统需求。