SI4501BDY-T1-GE3
SI4501BDY-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm宽） | FET类型 | N和P沟道，共漏 |
| 漏源极电压（Vdss） | 30V，8V | 安装类型 | 表面贴装(SMT) |
| FET 类型 | N 和 P 沟道，共漏 | FET 功能 | 逻辑电平门 |
| 漏源电压（Vdss） | 30V，8V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 12A，8A |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 17 毫欧 @ 10A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 25nC @ 10V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 805pF @ 15V |
| 功率 - 最大值 | 4.5W，3.1W | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | 8-SOIC |
SI4501BDY-T1-GE3手册
SI4501BDY-T1-GE3概述
SI4501BDY-T1-GE3 产品概述
SI4501BDY-T1-GE3 是由威世 (VISHAY) 生产的一款高性能场效应管 (MOSFET)，它采用了 8-SOIC 封装设计，具有良好的散热性能和表面贴装（SMT）特性。这款器件集成了一个 N 沟道和一个 P 沟道 FET，共源漏配置，使其在多种应用场景中具有高度的灵活性和适应性。 该器件的主要设计理念是为高效能电源管理、开关电源、马达驱动以及其他类似领域提供可靠的转换和控制功能。
主要技术参数：
封装与外壳: SI4501BDY-T1-GE3 采用 8-SOIC（0.154" ，3.90mm 宽）封装，适合表面贴装的安装方式，不仅具有紧凑的体积，还能确保在较高密度的电路设计中有效利用空间。
FET 类型: 该器件是一种逻辑电平的 N 和 P 沟道共漏 FET，这种配置使其在逻辑控制信号下能有效地驱动高功率负载，适用于多种数码电路和开关转换应用。
漏源极电压 (Vds): N 沟道和 P 沟道的最大漏源极电压分别为 30V 和 8V，这种电压规格非常适合于电源接口和中低压轨道的开关控制。
连续漏极电流 (Id): SI4501BDY-T1-GE3 提供的连续漏极电流为 12A（N 沟道）和 8A（P 沟道），这意味着在方案设计中可实现较高的功率传输。
导通电阻 (Rds(on)): 在 Vgs 为 10V 且 Id 为 10A 的条件下，导通电阻最大值为 17 毫欧。这一低电阻值显著降低了开关损耗，提高了能效，非常适合高效电源应用。
栅极阈值电压 (Vgs(th)): 在 25°C 时，最大 Vgs(th) 为 2V @ 250µA，保证了在较低的控制电压下即可实现导通，非常适合逻辑电平驱动。
输入电容 (Ciss): 最大输入电容为 805pF @ 15V，较低的输入电容确保了较快的开关速度，从而有效提高了电路的响应时间。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 25nC @ 10V，进一步支持其高效开关操作。
功率额定值: 该器件的额定功率分别为 4.5W (N 沟道) 和 3.1W (P 沟道)，在高负载条件下依然能保持稳定工作，提升了整体电路的可靠性。
工作温度范围: SI4501BDY-T1-GE3 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，意味着它可以在极端的环境条件下正常工作，适合各种工业及汽车应用，这也是其在各种严苛环境中应用的基础。
应用场景：
由于 SI4501BDY-T1-GE3 的多功能性和高性能，它被广泛用于以下应用领域：
- 开关电源 (SMPS): 其高效能与低损耗特性，适用于各种开关电源转换器。
- 马达驱动: 适合用于电机控制电路，在低电压和低电流环境下工作。
- 信号放大与调制: 可于各种控制逻辑和信号处理电路中使用，皆由于其逻辑电平驱动能力。
- 电源管理 IC: 适用于电压调节和电源管理模块，保持电源稳定性。
- 供电接口电路: 其可靠性和抗干扰性能使其成为供电接口的理想选择。
总结
SI4501BDY-T1-GE3 是一款兼具高性能和灵活应用的 MOSFET，适合在各种复杂电子设计中使用。其小型封装、出色的电气性能及宽广的工作温度范围，使其成为业界不断追求高效能电源管理和控制的关键元件。无论是在消费电子还是工业设备中，SI4501BDY-T1-GE3 都展现了良好的设计适应性和可靠性。