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SI4455DY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.252g
描述 :
场效应管(MOSFET) 5.9W 150V 2A 1个P沟道 SOIC-8
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
4.02按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥4.02
--
100+
￥3.36
--
1250+
￥3.05
--
25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4455DY-T1-GE3参数
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 150V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2A（Ta） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 295 毫欧 @ 4A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 42nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1190pF @ 50V |
| 功率耗散（最大值） | 5.9W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | 8-SO |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4455DY-T1-GE3手册
无数据
SI4455DY-T1-GE3概述
SI4455DY-T1-GE3 产品概述
1. 产品简介
SI4455DY-T1-GE3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET（场效应管），由威世半导体（VISHAY）生产。该器件专为高压和中等功率的电子应用而设计，具有150V的漏源电压能力和2A的连续漏极电流能力。它的优秀特性使其在工业控制、开关电源、驱动电路以及其他要求低导通损耗和高效率的应用中表现出色。
2. 关键参数
- FET 类型：P通道 MOSFET
- 漏源电压（Vdss）：150V
- 连续漏极电流（Id）：2A（25°C 时）
- 驱动电压：6V（最大 Rds On），10V（最小 Rds On）
- 导通电阻：在4A和10V时，导通电阻最大值为295毫欧
- 阈值电压（Vgs(th)）：在250µA 条件下，最大值为4V
- 栅极电荷（Qg）：在10V时，最大值为42nC
- 栅极到源极最大电压（Vgs）：±20V
- 输入电容（Ciss）：在50V时，最大值1190pF
- 功率耗散：最大值为5.9W（Tc）
- 工作温度范围：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 封装类型：8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
3. 应用领域
SI4455DY-T1-GE3 MOSFET 的设计目标是满足多种苛刻环境下的要求，适用于多个主要领域：
- 开关电源：在开关电源中，SI4455DY 能够有效地控制电源的开关状态，确保低能量损耗和高效率运作。
- 工业自动化：该器件在自动化控制系统中，用于电机驱动和其他高电流负载的高效切换。
- 电子设备：在家用和消费电子产品中，SI4455DY 可用于多个应用，如电池管理、电机驱动和功率分配。
- LED驱动：其高效的开关能力使得其在LED驱动电路中非常合适，可以提升整个 LED 系统的工作效率和可靠性。
4. 性能优势
- 低导通损耗：SI4455DY 的导通电阻相对较低，即使在较高电流下，其功耗也非常小，确保了更高的效率。
- 广泛的工作温度范围：-55°C 到 150°C 的宽广温度范围使得该器件非常适合高温和恶劣环境下使用。
- 适应性强：其高电压和电流承受能力，意味着在多种应用场景中均能稳定运行。
- 小封装尺寸：采用的 SOIC-8 封装使其在电路板上占用空间小，有助于设计紧凑的电子产品。
5. 结论
总的来说，SI4455DY-T1-GE3 是一款具有卓越电气特性和可靠性的 P 通道 MOSFET，对于需要高电压、高效率和低导通损耗的应用场合，这款产品提供了理想的解决方案。凭借其在开关电源、工业自动化以及LED驱动中的广泛适用性，它已成为现代电子设计中不可或缺的一部分。选择使用 SI4455DY-T1-GE3，将为用户提供优秀的性能保证和长久的稳定性。