SI4164DY-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
8-SO
包装 :
编带
重量 :
0.245g
描述 :
场效应管(MOSFET) 3W；6W 30V 30A 1个N沟道 SOIC-8
库存 :
2829(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
6.44按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥6.44
--
100+
￥5.37
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1250+
￥4.88
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25000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI4164DY-T1-GE3参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 30A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 2.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 3.2mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 6W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 30A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 3.2 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 95nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3545pF @ 15V | 功率耗散（最大值） | 3W（Ta），6W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | 8-SO | 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
SI4164DY-T1-GE3手册
SI4164DY-T1-GE3概述
SI4164DY-T1-GE3 产品概述
概述
SI4164DY-T1-GE3 是一款高性能的N沟道MOSFET（场效应管），由知名电子元件制造商VISHAY（威世）提供。该器件设计用于高频开关和电源管理应用，具有较低的导通电阻和优异的散热性能，能够在恶劣环境下稳定运行。它的额定漏源电压为30V，最大连续漏极电流可达30A，非常适合用于电源转换、电池管理和驱动电机等电子电路中。
关键参数
漏源电压（Vdss）: 30V
- 该特性使得SI4164DY-T1-GE3适用于低至中压的电源管理应用。
连续漏极电流（Id）: 30A（在25°C的情况下）
- 能够提供大电流通路，减少因电流过载引起的能量损耗。
栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 2.5V @ 250µA
- 该参数为MOSFET的开启电压，意味着该器件能够在较低的栅电压下开启，适合于低电压应用。
漏源导通电阻（Rds(on)）: 3.2mΩ @ 15A, 10V
- 低导通电阻能够有效降低开关损耗，提高电源的效率，对于降压转换器尤其重要。
最大功率耗散:
- 6W（在Tc下）, 3W（在Ta=25°C）
- 该器件能够在高温环境下保持出色的性能，适合在温度波动的环境中使用。
工作温度范围: -55°C ~ 150°C（TJ）
- 宽广的工作温度范围保证了SI4164DY-T1-GE3在极端环境下的可靠性。
物理特性
安装类型: 表面贴装型
- 8-SOIC封装（0.154寸，3.90毫米宽），适用于现代的SMT（表面贴装技术）标准，便于自动化生产。
输入电容（Ciss）: 3545pF @ 15V
- 较高的输入电容能够提高工作频率但需合理的驱动电路设计以确保快速开关。
栅极电荷（Qg）: 95nC @ 10V
- 适合高频开关应用，确保在不同工作频率下稳定的性能表现。
应用领域
SI4164DY-T1-GE3 MOSFET被广泛应用于多个领域，包括但不限于：
- 电源管理: 在降压转换器、升压转换器以及开关电源中，以实现高效的供电解决方案。
- 电池管理: 提升电池充放电效率，减少能量浪费。
- 电机驱动: 作为驱动电路中的开关元件，控制电机的启停和调速。
- 汽车电子: 在汽车的电气系统中进行高效的电能管理，增强行车安全和便利性。
- 消费电子: 用于手机、平板和其他便携式设备中的电源转换模块。
结论
综合以上提到的特性，SI4164DY-T1-GE3是一款性能卓越的N沟道MOSFET，适合在多种应用场景下使用，其高效能、高可靠性使其成为众多设计师和工程师的理想选择。无论是在电源管理、高频开关还是电池管理方面，该器件都能提供稳定的工作性能，其良好的热特性和宽工作温度范围更是为其增添了不少竞争力。在选择场效应管时，SI4164DY-T1-GE3无疑是值得考虑的优秀选项。