SI4090DY-T1-GE3
SI4090DY-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 10 毫欧 @ 15A，10V |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 19.7A（Tc） | FET 类型 | N 通道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2410pF @ 50V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 69nC @ 10V |
| 漏源电压（Vdss） | 100V | 功率耗散（最大值） | 3.5W（Ta），7.8W（Tc） |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.3V @ 250µA |
SI4090DY-T1-GE3手册
SI4090DY-T1-GE3概述
SI4090DY-T1-GE3 产品概述
产品简介
SI4090DY-T1-GE3 是由 VISHAY（威世）生产的一款 N 通道 MOSFET，采用表面贴装型封装，封装规格为 8-SO。该产品在开关电源、DC-DC 转换器、马达驱动及其他高性能电子电路中表现出色，能有效满足多种应用场景下对功率处理的需求。
主要参数
导通电阻（Rds On）: SI4090DY-T1-GE3 在 10V 驱动下，导通电阻最大值为 10 毫欧（@ 15A）。这一低导通电阻确保了低功耗损耗和高效率，特别适用于需要快速开关和高负载的场合。
连续漏极电流（Id）: 在 25°C 的环境温度下，该器件的连续漏极电流可达到 19.7A（Tc）。这样的电流承载能力使其能够应对高功率应用需求。
漏源电压（Vdss）: SI4090DY-T1-GE3 的漏源电压额定值为 100V，适用于多种中高电压的电源管理方案。
门源电压（Vgs）: 该器件的最大栅极驱动电压为 ±20V，确保了在高电压信号应用中保持稳定的开关状态。
功率耗散: SI4090DY-T1-GE3 在环境温度 Ta 下的最大功率耗散为 3.5W，而在结温 Tc 下最高可达 7.8W。这一高功率处理能力使其在高温条件下仍能稳定运行。
输入电容（Ciss）: 在 50V 的条件下，输入电容（Ciss）最大值为 2410pF，较低的电容值有助于提高开关频率，并为高频应用提供支持。
栅极电荷（Qg）: 在 10V 驱动下，栅极电荷为 69nC，低栅极电荷值可减少开关损耗，并提高开关效率。
工作温度范围: 产品的工作温度范围为 -55°C 至 150°C（TJ），这使得 SI4090DY-T1-GE3 被广泛应用于极端温度条件下的电路。
阈值电压（Vgs(th)）: 不同漏极电流 (Id) 条件下，阈值电压的最大值为 3.3V @ 250µA，这说明 MOSFET 在较低的门电压下便能导通，为电路设计提供了灵活性。
应用领域
SI4090DY-T1-GE3 由于其优异的参数，适用于多种行业和应用：
- 开关电源: 可以实现高效稳定的电源转换。
- 马达驱动: 在工业设备和家电中，可以控制电机的启停和调速。
- 通信设备: 在发送和接收电流信号时，确保信号的可靠传输。
- LED 驱动: 在 LED 照明应用中，提供稳定的电流控制。
结论
综上所述，SI4090DY-T1-GE3 N 通道 MOSFET 是一款在功率处理方面性能卓越的电子元器件。凭借其优良的导通电阻、大电流承载能力及高效的功率耗散特性，SI4090DY-T1-GE3 能满足高性能电子应用日益增长的需求。无论是在开关电源、驱动电机，还是在极端工作温度条件下，SI4090DY-T1-GE3 都表现出了稳定的工作性能及可靠性，使其成为众多电子设计工程师的理想选择。