SI3585CDV-T1-GE3
SI3585CDV-T1-GE3参数
| 安装类型 | 表面贴装型 | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 58 毫欧 @ 2.5A，4.5V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.9A，2.1A | FET 类型 | N 和 P 沟道 |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 150pF @ 10V | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.8nC @ 10V | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| FET 功能 | 逻辑电平门 | 功率 - 最大值 | 1.4W，1.3W |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
SI3585CDV-T1-GE3手册
SI3585CDV-T1-GE3概述
产品概述：SI3585CDV-T1-GE3
简介
SI3585CDV-T1-GE3 是由威世半导体（Vishay）出品的一款高性能 MOSFET 阵列，兼具 N 和 P 沟道的特性。该产品不仅适用于各种电子电路中的开关和放大器应用，还能在较高的工作温度范围内可靠工作。其灵活的性能参数使其广泛应用于电源管理、马达控制以及逻辑电平转换等领域。
关键参数
安装类型: SI3585CDV-T1-GE3 使用表面贴装型（SMD）设计，适合现代电子设备的紧凑布局，便于自动化焊接工艺。
导通电阻 (Rds(on)): 在 2.5A 和 4.5V 的条件下，其导通电阻最大可达 58 毫欧，确保了在开启状态下的低功耗损失，这是高效电源设计的关键特性。
漏极电流 (Id): 当工作在 25°C 时，N 沟道的连续漏极电流可达 3.9A，而 P 沟道的连续漏极电流为 2.1A，使得该器件在中等功率电路中表现优异。
漏源电压 (Vds): 该产品支持的漏源电压为 20V，能够满足多种应用需求，同时确保了器件在正常工作条件下的稳定性和可靠性。
输入电容 (Ciss): 在 10V 的条件下，最大输入电容为 150pF，这意味着在高速开关操作时会进一步降低开关损耗，提升工作效率。
栅极电荷 (Qg): 最大栅极电荷为 4.8nC @ 10V，这对于MOSFET的驱动电路影响较大，较低的栅极电荷可以帮助降低驱动功耗并缩短开关时间。
工作温度范围: SI3585CDV-T1-GE3 可在 -55°C ~ 150°C 的广泛温度范围内安全运行，适合各种严苛的工作环境。
阈值电压 (Vgs(th)): 根据不同的漏极电流 (Id)，其最大阈值电压为 1.5V @ 250µA，确保在逻辑电平下能够可靠导通。
应用场景
SI3585CDV-T1-GE3 能够广泛应用于电源管理和开关电源设计，包括但不限于：
- 电源提供器: 该 MOSFET 能够在高效率下进行电源开关，提供稳定可靠的输出电流。
- 马达控制: 在电动机控制电路中，MOSFET 可作为开关元件实现高效率的马达驱动。
- 逻辑电平转换: 其逻辑电平门特性使该器件适合作为不同电压逻辑电平间的转换器。
- 低功耗设计: 大多数现代电子产品都注重低功耗，SI3585CDV-T1-GE3 的低 Rds(on) 和小 Qg 特性使其成为低功耗设计的理想选择。
封装与可供性
SI3585CDV-T1-GE3 采用 6-TSOP 封装形式，便于在高密度的电路板上进行安装。其紧凑的封装设计兼顾了散热性能和使用便利性，使其成为各类消费电子、工业控制及通信设备中的热门选择。
总结
综合以上特性，SI3585CDV-T1-GE3 是一款在性能、可靠性与应用广泛性上表现均衡的 MOSFET 阵列。其出色的电气特性和宽广的工作条件，使其能够在各种应用中提供高效的解决方案。无论是在高频开关应用还是在大功率驱动场合，威世的这款 MOSFET 都是可靠的选择。