SI3443CDV-T1-GE3 产品实物图片
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SI3443CDV-T1-GE3

商品编码: BM0000283174
品牌 : 
VISHAY(威世)
封装 : 
6-TSOP
包装 : 
编带
重量 : 
0.07g
描述 : 
场效应管(MOSFET) 3.2W 20V 5.97A 1个P沟道 TSOP-6-1.5mm
库存 :
1310(起订量1,增量1)
批次 :
5年内
数量 :
X
1.21
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥1.21
--
200+
¥0.927
--
1500+
¥0.806
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述

SI3443CDV-T1-GE3参数

漏源电压(Vdss)20V连续漏极电流(Id)(25°C 时)5.97A(Tc)
栅源极阈值电压1.5V @ 250uA漏源导通电阻60mΩ @ 4.7A,4.5V
最大功率耗散(Ta=25°C)3.2W(Tc)类型P沟道
FET 类型P 通道技术MOSFET(金属氧化物)
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5.97A(Tc)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,4.5V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)60 毫欧 @ 4.7A,4.5V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)12.4nC @ 5VVgs(最大值)±12V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)610pF @ 10V功率耗散(最大值)2W(Ta),3.2W(Tc)
工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)安装类型表面贴装型
供应商器件封装6-TSOP封装/外壳SOT-23-6 细型,TSOT-23-6

SI3443CDV-T1-GE3手册

SI3443CDV-T1-GE3概述

产品概述:SI3443CDV-T1-GE3 MOSFET

1. 产品简介

SI3443CDV-T1-GE3是一款高性能P沟道MOSFET(场效应管),由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产。该器件特别设计用于需要高效率和高密度的电路应用,适合各类现代电子设备。它的封装尺寸为6-TSOP,非常适合表面贴装(SMD)技术,使其在空间有限的设计中尤为受欢迎。

2. 主要参数

  • 漏源电压(Vdss): 20V
  • 连续漏极电流(Id): 5.97A(在25°C时,Tc条件下)
  • 栅源极阈值电压: 1.5V @ 250μA
  • 漏源导通电阻(Rds(on)): 60mΩ @ 4.7A,4.5V
  • 最大功率耗散: 3.2W(在25°C时,Tc条件下)
  • 工作温度范围: -55°C至150°C
  • 封装类型: SOT-23-6, 6-TSOP

3. 性能特点

SI3443CDV-T1-GE3 MOSFET展示了极低的导通电阻,这意味着在导通状态下它能有效降低功损耗,从而提高电路整体效率。这对于需要大电流的应用至关重要。在额定工作条件下,该器件能够承受高达5.97A的电流,适用于各种负载驱动和电源管理系统。

栅极驱动电压范围在2.5V到4.5V之间,用户可以根据具体应用选择合适的驱动电压。其栅极阈值电压为1.5V,这降低了驱动电路的复杂度,并能够实现高效的开关控制。

此外,该MOSFET还具备良好的热管理特性,最大功耗为3.2W(在Tc条件下),这使其可以在各种场景下放心运行,而不会出现过热的风险。其宽广的工作温度范围使其适用于严苛环境,如工业自动化、汽车电子和航空航天等领域。

4. 应用场景

SI3443CDV-T1-GE3 MOSFET适用于众多应用,其中包括但不限于:

  • 电源管理和转换: 适用于电压转换器、Buck和Boost电源模块。
  • 负载开关: 适合各种负载启停控制,包括LED驱动和小型电机控制。
  • 音频放大器保护: 在音频线路中用作保护器件,确保音频设备的安全性和稳定性。
  • 信号处理电路: 由于其快的开关特性,适用于信号开关和乘法电路。

5. 设计优点

  • 高集成性与小尺寸: 采用SOT-23-6封装,可以提高PCB的空间利用率,减少布线复杂性。
  • 优秀的散热性能: 良好的热设计效率确保了在高负载条件下的可靠性和稳定性。
  • 增强的耐久性: 宽工作温度范围及较高的功率耗散能力保证了产品的长期可靠性。

6. 结论

总之,SI3443CDV-T1-GE3 MOSFET是一款高效、可靠的电力开关元件,提供了出色的电气性能,满足现代电子应用的多种需求。凭借其优越的参数组合,SI3443CDV-T1-GE3在智能家居、消费电子、工业设备及汽车电子等领域具有广泛的应用潜力,是工程师和设计师值得推荐的产品选择。