漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 5.97A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 1.5V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 60mΩ @ 4.7A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 3.2W(Tc) | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 5.97A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 60 毫欧 @ 4.7A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 12.4nC @ 5V | Vgs(最大值) | ±12V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 610pF @ 10V | 功率耗散(最大值) | 2W(Ta),3.2W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | 6-TSOP | 封装/外壳 | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
SI3443CDV-T1-GE3是一款高性能P沟道MOSFET(场效应管),由知名电子元器件制造商VISHAY(威世)生产。该器件特别设计用于需要高效率和高密度的电路应用,适合各类现代电子设备。它的封装尺寸为6-TSOP,非常适合表面贴装(SMD)技术,使其在空间有限的设计中尤为受欢迎。
SI3443CDV-T1-GE3 MOSFET展示了极低的导通电阻,这意味着在导通状态下它能有效降低功损耗,从而提高电路整体效率。这对于需要大电流的应用至关重要。在额定工作条件下,该器件能够承受高达5.97A的电流,适用于各种负载驱动和电源管理系统。
栅极驱动电压范围在2.5V到4.5V之间,用户可以根据具体应用选择合适的驱动电压。其栅极阈值电压为1.5V,这降低了驱动电路的复杂度,并能够实现高效的开关控制。
此外,该MOSFET还具备良好的热管理特性,最大功耗为3.2W(在Tc条件下),这使其可以在各种场景下放心运行,而不会出现过热的风险。其宽广的工作温度范围使其适用于严苛环境,如工业自动化、汽车电子和航空航天等领域。
SI3443CDV-T1-GE3 MOSFET适用于众多应用,其中包括但不限于:
总之,SI3443CDV-T1-GE3 MOSFET是一款高效、可靠的电力开关元件,提供了出色的电气性能,满足现代电子应用的多种需求。凭借其优越的参数组合,SI3443CDV-T1-GE3在智能家居、消费电子、工业设备及汽车电子等领域具有广泛的应用潜力,是工程师和设计师值得推荐的产品选择。