SI3443CDV-T1-E3

SI3443CDV-T1-E3 产品概述

产品简介

SI3443CDV-T1-E3 是一款由 VISHAY（威世）公司制造的单极 P 通道增强型 MOSFET，适用于各种高效能的电源管理与开关应用。凭借其优异的性能参数和小巧的封装设计，SI3443CDV-T1-E3 成为现代电子设备中不可或缺的重要元件之一。

技术规格

SI3443CDV-T1-E3 采用先进的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术，其主要参数如下：

• FET 类型: P 通道，适用于高侧开关应用。
• 漏源电压（V_dss）: 20V，适合多种低压应用，对设备具有一定的保护作用。
• 连续漏极电流（I_d）: 5.97A（在 25°C 时），表明在正常工作条件下，SI3443CDV-T1-E3 能够承受的电流负荷。
• 导通电阻（R_ds(on)）: 在 4.5V 时，最大值为 60 毫欧，这意味着在导通状态下，传导损耗较低，从而有助于提高系统效率。
• 栅极驱动电压（V_gs）: 最小为 2.5V，最大为 4.5V，这使它可以与多种逻辑电平兼容，适用于多种控制电路。
• 阈值电压（V_gs(th)）: 最大值为 1.5V（在 250µA 下），使其在较低的驱动电压下也能快速导通。
• 输入电容（C_iss）: 610pF（在 10V 下），适合高速开关应用，可减少开关损耗。
• 栅极电荷（Q_g）: 最大值为 12.4nC（在 5V 下），参数较低，对驱动电路要求不高，便于设计。
• 功率耗散（P_d）: 最大值为 2W（环境条件下），3.2W（晶片条件下），使其在承受较大功率时依然能够稳定运行。
• 工作温度范围: -55°C 到 150°C（TJ），确保其在各种极端工作环境中稳定可靠。

封装与安装

SI3443CDV-T1-E3 的封装采用 SOT-23-6 细型表面贴装型设计，具有紧凑的体积，使其易于在现代电子设备中集成。小型化的封装不仅可以节省电路板空间，还能够减少布线复杂程度。适合在高密度的 PCB 设计中使用，能够支持更高的元件集成度。

应用领域

SI3443CDV-T1-E3 MOSFET 的设计适用于多种应用场景，特别是在下列领域中表现出色：

• 电源管理: 由于其低导通电阻和高电流承载能力，适用于开关电源及各种转换电路。
• 电机驱动: 兼具快速开关特性，适合用于直流电机控制及其他电机驱动应用。
• LED 驱动: 可以高效驱动 LED 负载，并实现亮度调节。
• 消费电子: 广泛应用于各种便携式设备中，提升设备的电源管理效率。

总结

总之，SI3443CDV-T1-E3 是一款高性能的 P 通道 MOSFET，具有极佳的电气特性与灵活的应用场景，适用于多个电子产品的电源管理与转换。其优异的参数、高耐温性与小巧的表面贴装封装设计，使其在现代电子设备中成为关键的组成部分，能够满足不断提升的技术需求。对于设计工程师而言，SI3443CDV-T1-E3 提供了一种高效稳定的解决方案，是优质电源管理系统的理想选择。