漏源电压(Vdss) | 100V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 3.1A(Tc) |
栅源极阈值电压 | 3V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 126mΩ @ 2A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 2.5W(Tc) | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 126 毫欧 @ 2A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 10.4nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 196pF @ 50V | 功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta),2.5W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23-3(TO-236) | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
产品概述
SI2392ADS-T1-GE3 是一款由威世(VISHAY)出品的 N 通道 MOSFET,专为高效能开关和功率管理应用而设计,封装形式为 SOT-23-3(TO-236),具有出色的电气性能和热管理特性。该器件非常适合用于电源开关、电池管理和其他要求高效率和小尺寸的应用。
主要参数
电气特性
封装与安装
SI2392ADS-T1-GE3 采用 SOT-23-3 (TO-236) 封装,具有小型化的设计,方便在空间受限的电路板上进行安装。其表面贴装型的特点使得其适合大规模自动化生产,降低生产成本以及提高装配效率。
应用场景
SI2392ADS-T1-GE3 的设计使其能够在广泛的领域中得到应用,包括:
总结
SI2392ADS-T1-GE3 是一款高性能的 N 通道 MOSFET,凭借其优异的电气特性和适应环境,它在电源管理、电池管理及其他高效能开关领域中具有广泛的应用潜力。威世提供的这款产品不仅确保了高效率,还支持了现代电子设备对小型化和集成化的需求,是电子工程师设计高性能电路时的一项理想选择。