SI2319DS-T1-E3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SOT-23-3（TO-236）
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 750mW 40V 2.3A 1个P沟道 SOT-23-3
库存 :
23133(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
2.02按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.02
--
100+
￥1.62
--
750+
￥1.45
--
1500+
￥1.37
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30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI2319DS-T1-E3参数
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | FET类型 | P沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 40V | 栅源电压 Vgss | ±20V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | P 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 40V |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 82 毫欧 @ 3A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 17nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 470pF @ 20V | 功率耗散（最大值） | 750mW（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
SI2319DS-T1-E3手册
SI2319DS-T1-E3概述
产品概述：SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3 是一款高性能 P 通道增强型金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由业内知名品牌 VISHAY（威世）生产，封装形式为 SOT-23-3（TO-236），它在空间有限的应用环境中表现出色。该 MOSFET 设计用于满足低功耗、高效能的功率管理和开关应用，具有广泛的适用性，特别适合中小负载的驱动场景。
主要特性
电气性能：
- 漏源电压（Vdss）：SI2319DS-T1-E3 的最大漏源电压为 40V。这使其适用于需要控制相对较高电压的应用场合。
- 连续漏极电流（Id）：在 25°C 工作环境下，最大连续漏极电流为2.3A，使其能够承受较大的负载而不必担心过热。
- 导通电阻（Rds on）：该器件在 10V 的栅源电压下，最大导通电阻为 82 毫欧（在3A时），使其在传导电流时具有较低的功率损耗，提高了整机的能效。
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大阈值电压为 3V（在 250µA 时），有助于确保快速启动和关断，增加了电路的响应速度。
驱动和控制：
- 栅源电压：±20V 的栅源电压范围提供灵活的控制选项，允许设备与多种驱动电路兼容。
- 栅极电荷（Qg）：在 10V 下，栅极电荷最大值为 17nC，这意味着驱动器所需的瞬时电流较小，可有效降低系统功耗。
工作环境：
- 工作温度范围：SI2319DS-T1-E3 的工作温度范围广，从 -55°C 到 150°C，使其在极端环境中仍能可靠工作，适合汽车、工业及消费类电子产品等各种应用。
封装和安装：
- 采用 SOT-23-3（TO-236）表面贴装封装设计，这种小巧的封装形式使其能够在空间有限的电路板上灵活应用，同时也便于自动化生产。
热管理：
- 功率耗散（Pd）：在常温下，功率耗散能力可以达到 750mW，确保在高负载情况下保持稳定的温度表现，进一步延长器件的使用寿命。
应用领域
由于其卓越的性能和高度的可靠性，SI2319DS-T1-E3 在多个领域找到了应用，包括但不限于：
- 消费电子：如智能手机、平板电脑，以及其充电装置。
- 汽车电子：适用于电动窗控制、座椅调节和其他电子配件的电源管理。
- 工业控制：用于各种自动化设备及机械的开关应用。
- 电源管理：提供高效的开关模式调节器和电源转换器解决方案。
总结
SI2319DS-T1-E3 MOSFET 是一款集高性能、低功耗及优异热管理于一体的 P 通道场效应管，适合广泛的应用领域。其显著的电气性能使其成为现代电子设计中不可或缺的重要组件。VISHAY 作为全球知名的半导体制造商，其良好的信誉和可靠性进一步保障了该器件能够在苛刻环境下运行，帮助客户实现高效能的设计目标。无论是在新产品开发，还是在提升现有系统的性能上，SI2319DS-T1-E3 都是值得信赖的选择。