漏源电压(Vdss) | 20V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 2.8A |
栅源极阈值电压 | 450mV @ 250uA(最小) | 漏源导通电阻 | 120mΩ @ 2.8A,4.5V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 1.25W | 类型 | P沟道 |
FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.8A(Ta) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 2.5V,4.5V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 120 毫欧 @ 2.8A,4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 450mV @ 250µA(最小) |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 14.5nC @ 4.5V | Vgs(最大值) | ±8V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 880pF @ 6V | 功率耗散(最大值) | 1.25W(Ta) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
供应商器件封装 | SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
SI2301-TP 产品概述
SI2301-TP 是一款高性能的 P 沟道增强型MOSFET,专为各种电子应用而设计。这款 MOSFET 采用 SOT-23 封装,具有优良的电气特性和出色的热性能,非常适合在空间有限的应用中使用。
SI2301-TP 的关键电气参数如下:
由于其优越的性能参数,SI2301-TP 广泛应用于以下领域:
SI2301-TP 采用 SOT-23 封装,这种表面贴装型设计提供了良好的可焊性和机械稳定性。对于需要高密度布局的电路板,SOT-23 封装的优点在于其较小的占地面积及简单的布线要求。
SI2301-TP 是一款功能强大且多功能的 P 沟道 MOSFET,能够在较高温度和电压条件下稳定工作,并支持高达 2.8A 的连续漏极电流,广泛应用于电源管理、电机控制及其他高效能的开关应用中。其低导通电阻和小型化设计使其成为现代电子设计中不可或缺的元件,为工程师提供极大的设计灵活性和性能优势。
总体而言,SI2301-TP 结合了高效性能和实用的设计,使其成为多种应用的理想选择,特别是在对功率、体积及散热有严格要求的应用场合。