SI1922EDH-T1-GE3

SI1922EDH-T1-GE3 产品概述

一、产品简介

SI1922EDH-T1-GE3 是 Vishay（威世）公司推出的一款特色双N沟道场效应管（MOSFET），特别设计用于逻辑电平应用。作为一款高性能的半导体器件，该产品具有出色的电气特性，适用于诸多电子电路中的开关和放大功能。凭借其小型化的封装（SC-70-6/SOT-363）和宽工作温度范围（-55°C ~ 150°C），SI1922EDH-T1-GE3 适合各类便携式及高温环境应用。

二、主要参数

• 漏源电压（Vdss）：该器件的最大漏源电压为 20V，能够在多种工作条件下保持良好的稳定性，适合低压应用。
• 连续漏极电流（Id）：在 25°C 的环境温度下，SI1922EDH-T1-GE3 的连续漏极电流可达到 1.3A，使其在高负载电流条件下表现出色。
• 导通电阻（RDS(on)）：在 1A 的电流和 4.5V 的栅源电压下，该器件的漏源导通电阻为 198mΩ，确保低的传导损耗，从而提高效率。
• 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：其阈值电压为 1V @ 250µA，具有较好的逻辑电平控制能力，能够用较低的驱动电压完成开关切换。
• 最大功率耗散：产品的最大功率耗散为 1.25W，可在各种环境条件下可靠使用。
• 工作温度范围：本器件承受温度的范围从 -55°C 到 150°C，使其不仅能够在常温下工作，同时在极端环境条件下也能维持其性能。

三、应用场合

SI1922EDH-T1-GE3 适用于多个领域，包括但不限于：

1. 便携式设备：由于其小巧的封装和低导通电阻，适合用于电池供电的电子设备，确保能效和延长电池寿命。

2. 开关电源：该 MOSFET 的高效率和低功耗特性，无疑是开关电源设计中的理想选择，提升整体性能和稳定性。

3. 电机驱动：在电机控制电路中，SI1922EDH-T1-GE3 可用作高频开关，增强电机的驱动效率。

4. LED 驱动：在 LED 照明和控制电路中，凭借其良好的线性特性和高切换速度，可以提升 LED 灯的亮度和稳定性。

5. 信号开关和整流电路：其高频特性能在信号开关和整流应用中提供优异的表现，满足高效率的电流切换需求。

四、客户优势

选择 SI1922EDH-T1-GE3，客户能获得如下优势：

• 高效能：其低导通电阻和较小的功率损耗，确保电路的高效运行，减少热量聚集，提升可靠性。
• 小型化：SC-70-6 封装设计使其适合于空间受限的应用场合，便于集成在较小的电路板上。
• 广泛适用性：支持多种工作温度和电压条件，方便不同领域和应用的使用。
• 优秀的逻辑兼容性：符合逻辑电平的切换特性，使得控制电路更为简便，增强了设计的灵活性。

五、总结

SI1922EDH-T1-GE3 双N沟道场效应管是集高性能、低功耗、小型化优点于一身的理想选择，特别适合广泛的应用场合。凭借Vishay 的品牌信誉和优质的产品性能，此款产品必将在多种电子设备和系统中发挥重要作用。