SI1012CR-T1-GE3
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
SC-75A
包装 :
编带
重量 :
-
描述 :
场效应管(MOSFET) 240mW 20V 630mA 1个N沟道 SC-75A
库存 :
28399(起订量1,增量1)
批次 :
2年内数量 :
X
0.637按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.637
--
200+
￥0.411
--
1500+
￥0.357
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述
SI1012CR-T1-GE3参数
| 封装/外壳 | SC-75，SOT-416 | FET类型 | N沟道 |
| 漏源极电压（Vdss） | 20V | 栅源电压 Vgss | ±8V |
| 安装类型 | 表面贴装(SMT) | FET 类型 | N 通道 |
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） | 漏源电压（Vdss） | 20V |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 1.5V，4.5V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 396 毫欧 @ 600mA，4.5V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 2nC @ 8V |
| Vgs（最大值） | ±8V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 43pF @ 10V |
| 功率耗散（最大值） | 240mW（Ta） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 供应商器件封装 | SC-75A |
SI1012CR-T1-GE3手册
SI1012CR-T1-GE3概述
产品概述：SI1012CR-T1-GE3
基本信息
SI1012CR-T1-GE3是一款高性能的N沟道MOSFET，属于Vishay（威世）电子产品系列。该器件特别设计用于低功耗应用，具备卓越的导通特性和可靠性，适用于各种电子电路的控制和开关技术。SI1012CR-T1-GE3的封装类型为SC-75A，这是一种表面贴装（SMD）封装，适合在空间有限且对热管理有较高要求的应用场合。
主要参数
- 漏源极电压（Vdss）: 该器件能够承受的最大漏源极电压为20V，适合低至中等电压的应用。
- 栅源电压（Vgss）: 最大栅源电压为±8V，确保器件在各种操作条件下的安全性与稳定性。
- 导通电阻: 在4.5V的栅源电压下，导通电阻（Rds(on)）最大值为396毫欧，且在600mA的电流下表现出卓越的导电性，降低了开关损耗和发热。
- 漏电流（Id）: 该器件的最大漏电流可达630mA，能够满足许多应用的需求。
- 栅极电荷 (Qg): 在8V栅源电压下，栅极电荷最大值为2nC，表明该元器件具有较低的驱动功率，适于高速开关应用。
- 功率耗散: SI1012CR-T1-GE3的最大功率耗散为240mW（在环境温度下），使得其在热控制方面表现良好。
- 工作温度范围: 该器件可以在-55°C至150°C的温度范围内可靠工作，适合在严苛环境下的应用。
应用场景
SI1012CR-T1-GE3广泛用于消费电子、工业控制、DC-DC转换器和电源管理等领域。其低导通阻抗和高耐压特性使得其在电源开关和信号调节电路中具备良好的性能表现。
- 开关电源：由于其高效能，SI1012CR-T1-GE3适用于DC-DC转换器中，可以显著提升整体效率，降低发热，提高系统的稳定性。
- 电机驱动：该MOSFET因其高电流承载能力，常被用于驱动小型电机，确保响应快速且能耗低。
- 灯光控制：在LED驱动和照明控制系统中，SI1012CR-T1-GE3能够实现精准的开关控制，适应各种调光需求。
- 通信设备：在射频应用和信号传输中，该元件的快速开关能力能够提高信号的交换效率。
设计优势
使用SI1012CR-T1-GE3的设计师将享受到以下优势：
- 高效率与低功耗：其低Rds(on)特性使得功耗最小化，从而提高整体系统的能效。
- 良好的热性能：由于其240mW的功率耗散能力，能够有效管理热量，延长器件寿命。
- 环境适应性: 它能够在广泛的温度范围内操作，适合各种苛刻环境。
- 易于集成：SC-75A的封装使得该器件易于在小型化电路中集成，节省电路板空间。
结论
总的来说，SI1012CR-T1-GE3是Vishay的一款优秀N沟道MOSFET，凭借其低导通电阻、高工作电流及广泛的工作温度范围，成为众多电源管理和开关应用的理想选择。设计师在面对高效能与低能耗需求时，该产品提供了可靠的解决方案，并能够满足现代电子设计中对性能的高要求。