RTR025N03TL
品牌 :
ROHM(罗姆)
封装 :
TSMT3
包装 :
编带
重量 :
0.03g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1W 30V 2.5A 1个N沟道 TSMT-3
库存 :
2(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
0.72按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥0.72
--
200+
￥0.496
--
1500+
￥0.451
--
45000+
产品参数
产品手册
产品概述
RTR025N03TL参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 2.5A |
| 栅源极阈值电压 | 1.5V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 92mΩ @ 2.5A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 2.5A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 92 毫欧 @ 2.5A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.6nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | 12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 220pF @ 10V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | TSMT3 | 封装/外壳 | SC-96 |
RTR025N03TL手册
RTR025N03TL概述
产品概述：RTR025N03TL N沟道MOSFET
1. 产品简介
RTR025N03TL 是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于各种功率管理和开关应用，尤其是在电源转换器、驱动电路和工业控制等领域。该元器件由知名电子元件制造商ROHM（罗姆）生产，采用TSMT-3封装设计，具有优良的热性能与可靠性，适合表面贴装类型的PCB设计。
2. 主要规格
RTR025N03TL 的基本参数包括：
- 漏源电压（Vdss）：30V
- 连续漏极电流（Id）：2.5A @ 25°C
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）：1.5V @ 1mA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：92mΩ @ 2.5A, 4.5V
- 最大功率耗散：1W @ Ta=25°C
- 工作温度范围：最高可达150°C (TJ)
- 封装类型：TSMT-3 (SC-96)
3. 性能特点
RTR025N03TL 采用了现代MOSFET技术，具有以下几项卓越性能：
- 低导通电阻：92mΩ的导通电阻能够有效降低功率损耗，提高整体电能效率，非常适合需要高频率切换和低能耗应用的电路。
- 广泛的驱动电压范围：元器件支持的驱动电压范围为2.5V至4.5V，使其能够与不同的控制电路兼容，适应于多种应用场景。
- 高输入电容：220pF的输入电容（Ciss）保证了良好的开关性能，适合对高频率操作有需求的电路设计。
- 优良的热稳定性：该器件的最大工作温度可达150°C，适合高温环境中的应用，确保在各种温度条件下的可靠性和长期稳定性。
4. 应用领域
RTR025N03TL 适用于多种电子设备和应用场景，包括但不限于：
- DC-DC转换器：可以用作开关元件，提高转换效率，减少能量浪费。
- 电机驱动电路：用于控制电机的开关，提升驱动效率与响应速度。
- 功率放大器：在需要大电流输出的场合中作为关键增益元件。
- 高频开关电源：适合用于各种电源管理需要，确保电压稳定与功率高效利用。
5. 安装和封装
RTR025N03TL 的TSMT-3封装使得器件适合自动化生产及高密度PCB设计，表面贴装型设计能够节省空间并提高生产效率。该封装类型在热管理方面表现良好，能够快速散热，降低元器件温度，并提升整体系统的可靠性。
6. 总结
作为一款高性能的N沟道MOSFET，RTR025N03TL在设计中充分考虑了电流承载能力、热管理、开关效率等关键参数，适用于现代电子设备对高效、低功耗的严苛要求。其良好的技术规格、高温工作能力以及出色的导通性能，使其在市场中成为一个理想的选择。无论是在消费者电子产品、工业自动化设备还是电源管理系统中，RTR025N03TL都将提供可靠的解决方案。对于电子工程师和设计师来说，RTR025N03TL不仅是实现高效电路设计的关键元件，更是推动科技进步的重要一环。