RB751S40,115
RB751S40,115参数
| 直流反向耐压（Vr） | 40V | 平均整流电流（Io） | 120mA |
| 正向压降（Vf） | 370mV @ 1mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 40V | 电流 - 平均整流 (Io) | 120mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 370mV @ 1mA | 速度 | 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 500nA @ 30V | 不同 Vr、F 时电容 | 2pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-79，SOD-523 |
| 供应商器件封装 | SOD-523 | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
RB751S40,115手册
RB751S40,115概述
产品概述: RB751S40,115
一、基本概述
RB751S40,115 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的肖特基二极管，采用紧凑的 SOD-523 封装，设计用于满足高效率和高性能的电源整流需求。这款二极管具有较高的直流反向耐压（Vr）和较低的正向压降（Vf），适用于多种电子应用，包括开关电源、电机驱动及通用整流等领域。
二、关键参数
直流反向耐压（Vr）: RB751S40,115 具有高达 40V 的逆向耐压，这使得它在高压环境中仍可稳定工作，适应多种应用场景。
平均整流电流（Io）: 本产品的平均整流电流可达 120mA，适合用于需要小信号整流处理的电路，确保可以承受一定程度的负载。
正向压降（Vf）： 该二极管在 1mA 的条件下，正向压降为 370mV，表现出出色的导通特性，有助于提高整体系统效率，减少自耗能。
反向泄漏电流： 在 30V 的反向电压下，RB751S40,115 的反向泄漏电流低至 500nA，确保在工作时尽可能减少能量损失，提升系统的稳定性。
电容： 在 1V、1MHz 的条件下，其电容为 2pF，这使得该二极管在高频应用中具有较小的寄生效应，适合用于 RF 和高频电路。
工作温度范围： 该产品的结温最大工作范围可达 150°C，保证其在高温环境下的良好性能和长期稳定性。
三、应用场景
RB751S40,115 的设计满足了多种应用需求，常见的应用场景包括：
开关电源：肖特基二极管的快速开关特性使其在开关电源中发挥重要作用，能够提供高效率的整流和转换。
电动机驱动：在电动机驱动电路中，能够有效降低导通损耗，提高电机驱动系统的整体效率。
电路保护：由于具有低反向泄漏和高耐压特性，可以在多种电路中用作反向保护二极管，以确保电路的安全性和可靠性。
整流电路：特别适用于低功率整流电路，提供高效的电流整流解决方案。
四、封装与安装
RB751S40,115 使用 SOD-523 封装，类型为表面贴装型，这种封装形式不仅体积小巧，而且能够方便快速的安装在现代电子设备中，适应更密集的电路布局，提升了生产效率。
五、总结
RB751S40,115 肖特基二极管凭借其卓越的电气性能、可靠的工作温度和紧凑的封装设计，成为了广大电子工程师和设计师优选的元件之一。其广泛的应用范围，使其在电子产业中具有重要的地位，能够为各类电子设备提供稳定的整流及保护功能。无论是用于消费电子、工业控制还是其他高需求的电子应用，该型号二极管都能满足严格的性能要求，助力产品设计的创新与进步。