PSMN7R0-60YS,115
PSMN7R0-60YS,115参数
| 漏源电压（Vdss） | 60V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 89A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 4V @ 1mA | 漏源导通电阻 | 6.4mΩ @ 15A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 117W(Tc) | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 89A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 6.4 毫欧 @ 15A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 45nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 2712pF @ 30V | 功率耗散（最大值） | 117W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | LFPAK56，Power-SO8 | 封装/外壳 | SC-100，SOT-669 |
PSMN7R0-60YS,115手册
PSMN7R0-60YS,115概述
产品概述：PSMN7R0-60YS,115
一、基本信息
PSMN7R0-60YS,115 是由知名电子元器件制造商 Nexperia（安世）生产的一款高性能N沟道MOSFET，具有出色的电气特性和广泛的应用场景。该元器件的额定漏源电压（Vdss）为60V，能够承受高达89A的连续漏极电流（Id），特别适用于高功率、低损耗的电源管理和驱动电路。
二、关键参数
漏源电压（Vdss）：60V，表明该MOSFET能够在最大60V的电压下正常工作，适合多个应用场景，如电机驱动和DC-DC变换器。
连续漏极电流（Id）：在25°C时，最大连续漏极电流为89A（Tc），这使得该器件能够承受较大的负载，对应相应的散热设计需求也较高。
阈值电压（Vgs(th)）：4V @ 1mA，确保了在较低驱动电压下，即可实现导通，方便与低电压驱动电路兼容。
导通电阻（Rds(on)）：当漏电流为15A，驱动电压为10V时，导通电阻为6.4mΩ，这有助于减少功率损耗，提高整体效率。
最大功率耗散（Pmax）：117W @ Ta=25°C，用于描述在不超过25°C的环境温度下，器件能够安全承受的最大功率，显示出其优良的热管理能力。
工作温度范围：该器件能够在-55°C到175°C的广泛温度范围内稳定工作，适合在严苛的环境条件下使用。
三、封装与安装
PSMN7R0-60YS,115采用LFPAK56和Power-SO8封装，能够实现卓越的热管理和空间利用率，适合表面贴装(SMD)设计。这种封装方式不仅减少了占用的PCB空间，还提高了散热效率，满足现代电子设备对小型化和高效散热的需求。
四、应用场景
PSMN7R0-60YS,115可以广泛应用于以下领域：
电源管理：作为开关元件使用在各种DC-DC变换器和电源适配器中，以提高转换效率。
电机控制：用于电机驱动系统中，实现高效的电流控制和驱动，适合于工业自动化等应用。
LED驱动器：在LED照明中，能够提供高输入电压和高电流的驱动能力，确保LED灯具的高效运行。
汽车电子：由于其较大的工作温度范围，该MOSFET特别适合用于汽车电子设备，包括电动助力转向（EPS）、电子制动等高功率模块。
五、总结
PSMN7R0-60YS,115 是一款性能卓越的N沟道MOSFET，具备高漏源电压和低导通电阻的特点，适合多种高功率应用。它不仅能够在广泛的温度范围内安稳工作，而且其高效的热管理能力和紧凑的封装设计，使其成为现代电子设备中不可或缺的核心元件。随着对高效、低损耗电子产品需求的不断增长，PSMN7R0-60YS,115凭借其出色的规格参数和应用灵活性，将在未来的电子技术发展中发挥重要作用。