PMXB360ENEAZ
PMXB360ENEAZ参数
| 漏源电压（Vdss） | 80V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 1.1A |
| 栅源极阈值电压 | 2.7V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 450mΩ @ 1.1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 400mW | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 1.1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 450 毫欧 @ 1.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.7V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 4.5nC @ 10V | Vgs（最大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 130pF @ 40V | 功率耗散（最大值） | 400mW（Ta），6.25W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | DFN1010D-3 | 封装/外壳 | 3-XDFN 裸露焊盘 |
PMXB360ENEAZ手册
PMXB360ENEAZ概述
PMXB360ENEAZ 产品概述
一、基本介绍
PMXB360ENEAZ是一款高性能的N沟道场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商Nexperia（安世）出品。该器件设计和生产采用先进的MOSFET技术，具备优越的电气特性和广泛的应用潜力，尤其适用于低功耗和高效率的电子电路中。主要用于开关电源、马达驱动、电源管理等领域。
二、关键参数
漏源电压 (Vdss):
- 最大为80V，适合多种高压应用场景。
连续漏极电流 (Id):
- 在25°C的环境温度下，最大连续漏极电流可达1.1A，满足小型电源应用的需求。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)):
- 典型为2.7V @ 250µA，提供良好的开关控制能力，能够与多种逻辑电平直接兼容。
漏源导通电阻 (Rds(on)):
- 在1.1A和10V的条件下，导通电阻为450毫欧，降低了功率损耗，提升了效率。
功率耗散 (Pmax):
- 最大功率耗散在25°C环境下为400mW，而在高温条件下则可达到6.25W（在结温Tc条件下），适合高温和高功率的应用。
工作温度范围:
- 工作温度范围为-55°C至150°C，确保其在极端环境下的可靠性和稳定性。
安装类型:
- 采用表面贴装型（SMD）DFN1010D-3封装，具有更小的封装尺寸，适合现代电子设备对空间的严格要求。
三、性能特点
高效性: PMXB360ENEAZ的导通电阻较低，能够有效降低功率损耗，提升电路效率，适合各种高效能的电源管理应用。
快速开关: 具有较低的栅极电荷（Qg为4.5nC @ 10V），使其具备快速开关能力，适合高速开关应用。
宽泛的兼容性: 该MOSFET的Vgs最大值为±20V，可以广泛应用于低或高电压的电源系统中，提升电路设计的灵活性。
优良的热管理性能: 其高功率耗散能力及广泛的工作温度范围使其能够在严苛的应用环境中稳定工作，确保长时间的可靠性。
四、应用领域
PMXB360ENEAZ适用的领域非常广泛，主要包括但不限于以下几个方面：
开关电源: 在DC-DC转化器和AC-DC转换器中，具有优越的开关特性，可以提升能效并减小体积。
电机驱动: 由于其承载能力和快速开关特性，此MOSFET可用于各种电动机控制应用中。
电池管理系统: 适合用于电池充放电控制，提供精准的电流控制和高效的能量管理。
信号开关: 可以用于各类信号开关电路，具备快速开关响应能力。
消费电子产品: 广泛应用于手机、平板电脑、游戏机等现代消费电子产品中，有助于提升产品的整体性能和续航能力。
五、总结
PMXB360ENEAZ作为一款高性能的N沟道MOSFET，从电气特性到应用场景，都展现出优越的性能，特别是在高压、高功耗及低功耗设备领域具有极大的市场潜力。其杰出的热管理能力和高效率驱动特性，使其在当今和未来的电子市场中占据了一席之地。选择PMXB360ENEAZ，不仅可以有效提升产品性能，也能够在设计和制造过程中节省空间和成本。