PMEG4005AEA,115
PMEG4005AEA,115参数
| 直流反向耐压（Vr） | 40V | 平均整流电流（Io） | 500mA |
| 正向压降（Vf） | 470mV @ 500mA | 二极管类型 | 肖特基 |
| 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值） | 40V | 电流 - 平均整流 (Io) | 500mA（DC） |
| 不同 If 时电压 - 正向 (Vf) | 470mV @ 500mA | 速度 | 快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io） |
| 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏 | 100µA @ 40V | 不同 Vr、F 时电容 | 50pF @ 1V，1MHz |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | SC-76，SOD-323 |
| 供应商器件封装 | SOD-323 | 工作温度 - 结 | 150°C（最大） |
PMEG4005AEA,115手册
PMEG4005AEA,115概述
PMEG4005AEA,115 产品概述
产品概述
PMEG4005AEA,115 是由知名电子元器件供应商 Nexperia（安世）推出的一款高性能肖特基二极管。该器件专为高效率和可靠性而设计，适用于各种电力电子应用，尤其是在需要高频快速切换和低正向压降的场合。PMEG4005AEA,115 具备优秀的电气特性和适应性，尤其在电源转换、电池管理和逆变器等领域表现突出。
主要技术规格
直流反向耐压（Vr）: PMEG4005AEA,115 的最大直流反向耐压达到 40V，这在各种低压电源应用中提供了良好的安全边际，使其能够承受一定程度的电压波动而不被击穿。
平均整流电流（Io）: 该二极管能够承载高达 500mA 的平均整流电流，适合大多数常规应用需求，尤其是在小型电源和充电电路中。
正向压降（Vf）: 在 500mA 的工作电流下，PMEG4005AEA,115 的正向压降仅为 470mV，这意味着在该二极管中几乎没有能量损耗，极大提高了电路的整体效率。
反向泄漏电流: 在 40V 的反向电压下，该二极管的逆向泄漏电流仅为 100µA，这对于提升电路的稳定性和降低功耗至关重要。
双节冷却能力: 二极管的结温最大可达到 150°C，这使得 PMEG4005AEA,115 在高温环境下依然能够安全运行，适合严苛的工作条件。
电容特性: 在 1V、1MHz 的条件下，该二极管的电容为 50pF，表明其拥有良好的频率特性，适用于高频应用。
封装与安装类型: 该器件采用 SOD-323 小型表面贴装型封装，适合自动化焊接工艺，即便在空间受限的情况下也方便应用。
恢复速度: PMEG4005AEA,115 具有快速恢复特性，恢复时间 ≤ 500ns，这进一步增强了其适用高频电路切换的能力。
应用场景
PMEG4005AEA,115 的应用领域覆盖了多个电子产品，如：
- 电源供应：广泛应用于 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器中，作为整流二极管确保在电力转化过程中最大化效率和稳定性。
- 电池充电器：在电池管理系统中，作为整流器件，在充电过程中降低损耗，并提升充电速度。
- 逆变器与变频器：用于光伏系统及电动汽车充电基础设施，提高逆变与变频过程中的效率。
- 小型电子设备及消费类产品：在智能手机、平板电脑和其他小型电子设备中，作为高效整流器件以改善能量使用。
总结
PMEG4005AEA,115 是一款功能强大且性能出色的肖特基二极管，其优异的电压耐受能力、低压降和低逆向泄漏特性，使其在现代电力电子应用中尤为突出。其小巧的 SOD-323 封装和快速恢复能力也使得该器件成为高频、高效电路的理想选择。这种组合特性使 PMEG4005AEA,115 成为电子设计工程师值得信赖的元器件选择，助力设计出更高效、更稳定的电源系统和电子设备。