PESD3V3L4UG,115
PESD3V3L4UG,115参数
| 极性 | Unidirectional | 峰值脉冲电流（10/1000us） | 3A |
| 箝位电压 | 12V | 击穿电压（最小值） | 5.32V |
| 反向关断电压（典型值） | 3.3V (Max) | 类型 | 齐纳 |
| 单向通道 | 4 | 电压 - 反向断态（典型值） | 3.3V（最大） |
| 电压 - 击穿（最小值） | 5.32V | 不同 Ipp 时电压 - 箝位（最大值） | 12V |
| 电流 - 峰值脉冲 (10/1000µs) | 3A（8/20µs） | 功率 - 峰值脉冲 | 30W |
| 电源线路保护 | 无 | 应用 | 通用 |
| 不同频率时电容 | 22pF @ 1MHz | 工作温度 | -65°C ~ 150°C（TA） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 5-TSSOP，SC-70-5，SOT-353 |
| 供应商器件封装 | 5-TSSOP |
PESD3V3L4UG,115手册
PESD3V3L4UG,115概述
产品概述：PESD3V3L4UG,115
PESD3V3L4UG,115 是由安世（Nexperia）公司生产的一款高性能瞬态电压抑制器（TVS二极管）。该元器件特别设计用于保护电子电路免受瞬态电压和静电放电（ESD）的影响，从而提高设备的可靠性和耐用性。以下是对该产品的详细介绍，包括其关键规格、应用场景及优势。
关键规格
极性：该元器件为单向（Unidirectional）类型，适合在正向电压下工作，是应用于正极性电路保护的理想选择。
击穿电压：其击穿电压的最小值为5.32V，能够有效阻挡超过这一电压的瞬态电流，保障下游电路的安全。
反向关断电压：在常规操作中，反向关断电压达到典型值3.3V，最大为该值，进一步增强了它的安全性和稳定性。
峰值脉冲电流：PESD3V3L4UG,115 可以承受高达3A的峰值脉冲电流（在10/1000µs的测试环境下），对于大多数瞬态电压事件，能够有效提供保护。
箝位电压：其最大箝位电压为12V，能够在瞬态过压事件中限制电压水平，确保电路的正常工作。
工作温度范围：此器件可以在-65°C至150°C的广泛温度范围内正常工作，适应不同环境条件下的应用。
电容特性：在1MHz频率下，具有22pF的电容特性。这使得该元器件适用于高频信号路径，并且不会显著影响信号质量。
封装类型：产品采用表面贴装型设计，符合5-TSSOP封装标准。小巧灵活的封装特点使其能够适应高密度电路板的设计要求。
功率处理能力：峰值脉冲功率可达到30W，适合需要高功率处理的应用场景。
应用场景
PESD3V3L4UG,115广泛应用于各种电子设备，包括但不限于：
通信设备：如手机、便携式无线设备和网络设备，防止由于静电放电（ESD）或雷电引起的瞬态电压损害。
消费电子：如个人计算机、平板电脑和其他小型电子产品，确保其正常运行不受外部电压冲击的影响。
工业自动化：在许多工业设备中，PESD3V3L4UG,115可用于保护控制电路和传感器接口，保持系统的稳定性。
车辆电子：电子控制单元（ECUs）、导航系统和其他车载设备中的瞬态电压保护。
优势
高耐压能力：产品能够承受较高的击穿和反向电压，增强了其应用的灵活性和可靠性。
紧凑设计：表面贴装型封装使得其在PCB设计中占用更少的空间，适合体积小巧的电路板。
广泛的温度适用性：适应极端环境的能力使该元器件在众多挑战性应用中成为理想选择。
优秀的瞬态保护性能：能迅速响应电压瞬变，有效阻止电压冲击对设备造成的长期损害。
综上所述，PESD3V3L4UG,115 是一款极具优势的瞬态电压抑制二极管，提供了优越的电压保护功能和广泛的应用灵活性。无论是在消费市场，还是在工业领域，它都是确保电子设备安全、稳定运行的重要选择。