晶体管类型 | NPN | 集电极电流Ic | 1A |
集射极击穿电压Vce | 20V | 额定功率 | 480mW |
电流 - 集电极 (Ic)(最大值) | 1A | 电压 - 集射极击穿(最大值) | 20V |
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值) | 250mV @ 50mA,1A | 电流 - 集电极截止(最大值) | 100nA(ICBO) |
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值) | 300 @ 500mA,2V | 功率 - 最大值 | 480mW |
频率 - 跃迁 | 100MHz | 工作温度 | 150°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商器件封装 | TO-236AB |
PBSS4120T,215是一款高性能NPN晶体管,专为低压高频应用设计,广泛应用于开关电源、信号放大和其他相关电子电路中。这款晶体管的主要特点包括其优越的集电极电流能力、较低的饱和压降和高增益,适合用于需要高效性能的各种电路。
PBSS4120T,215采用TO-236AB封装,也被称为SOT-23封装,这是一种紧凑的表面贴装型设计。此封装类型支持自动化生产,更加适合大规模的应用。同时,表面贴装型的设计使得其在电路板上的占用空间更小,有助于提高整体电路的集成度。
PBSS4120T,215晶体管适用于多种电子应用,主要包括:
总的来说,PBSS4120T,215是一款性能卓越的NPN晶体管,适合多种电子应用,拥有高效率、高可靠性和性价比高等优点。其在现代电子产品中展现出广泛的适用性,特别是在电源管理、信号处理和驱动控制等领域,成为工程师们的理想选择。无论在设计还是实际应用中,PBSS4120T,215均能够满足需求,帮助开发出高效、稳定和紧凑的电子系统。