PBSS4120T,215 产品实物图片
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注:图像仅供参考,请参阅产品规格数据手册

PBSS4120T,215

商品编码: BM0000283053
品牌 : 
Nexperia(安世)
封装 : 
TO-236AB
包装 : 
编带
重量 : 
0.035g
描述 : 
三极管(BJT) 480mW 20V 1A NPN SOT-23
库存 :
600(起订量1,增量1)
批次 :
23+
数量 :
X
0.615
按整 :
圆盘(1圆盘有3000个)
合计 :
¥0
梯度
内地(含税)
香港
1+
¥0.615
--
200+
¥0.397
--
1500+
¥0.345
--
3000+
¥0.305
--
30000+
产品参数
产品手册
产品概述

PBSS4120T,215参数

晶体管类型NPN集电极电流Ic1A
集射极击穿电压Vce20V额定功率480mW
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)1A电压 - 集射极击穿(最大值)20V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)250mV @ 50mA,1A电流 - 集电极截止(最大值)100nA(ICBO)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)300 @ 500mA,2V功率 - 最大值480mW
频率 - 跃迁100MHz工作温度150°C(TJ)
安装类型表面贴装型封装/外壳TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
供应商器件封装TO-236AB

PBSS4120T,215手册

PBSS4120T,215概述

产品概述:PBSS4120T,215 NPN 晶体管

一、概述

PBSS4120T,215是一款高性能NPN晶体管,专为低压高频应用设计,广泛应用于开关电源、信号放大和其他相关电子电路中。这款晶体管的主要特点包括其优越的集电极电流能力、较低的饱和压降和高增益,适合用于需要高效性能的各种电路。

二、基本参数

  • 晶体管类型:NPN
  • 集电极电流(Ic):最大1A,适合中等电流应用。
  • 集射极击穿电压(Vce):最大20V,确保其能够在低压环境中稳定工作。
  • 额定功率:480mW,允许在较高功率条件下使用。
  • 饱和压降(Vce,sat):在50mA和1A时的最大值为250mV,能够有效降低功率损耗,提高能量转换效率。
  • 电流增益(hFE):在500mA,2V的条件下最小值为300,显示出良好的信号放大能力。
  • 截止电流:最大100nA(ICBO),表明其在关闭状态下的漏电流非常低。
  • 频率特性:跃迁频率高达100MHz,适用于高频应用场合。
  • 工作温度:工作结温可达150°C,适合高温环境下的应用。

三、封装与安装

PBSS4120T,215采用TO-236AB封装,也被称为SOT-23封装,这是一种紧凑的表面贴装型设计。此封装类型支持自动化生产,更加适合大规模的应用。同时,表面贴装型的设计使得其在电路板上的占用空间更小,有助于提高整体电路的集成度。

四、应用领域

PBSS4120T,215晶体管适用于多种电子应用,主要包括:

  1. 开关电源:由于其高集电极电流能力和低饱和压降,PBSS4120T,215特别适合用作开关电源电路中的开关元件,提高系统的能效。
  2. 信号放大器:凭借其较高的电流增益和良好的频率响应,该产品也可用于音频和射频信号的放大应用。
  3. 紧凑型电子设备:由于体积小、功率损耗低,非常适合用于对空间要求严格的消费电子产品中,如智能手机、平板电脑等。
  4. 电机驱动:PBSS4120T,215可被用于驱动小型直流电机的开关控制,适用于自动化设备和小型家电。

五、优点与特性

  • 高效能:得益于其低Vce,sat和高增益,PBSS4120T,215可以在较低的功耗下实现高效的电流开关和信号放大。
  • 高可靠性:优秀的截止电流性能和高工作温度范围确保了PBSS4120T,215的长期稳定性和可靠性,在多种复杂环境下均能正常工作。
  • 紧凑封装:TO-236AB封装使得PBSS4120T,215能够简单快捷地集成于各种PCB设计中,从而满足现代电子产品对小型化的需求。

六、总结

总的来说,PBSS4120T,215是一款性能卓越的NPN晶体管,适合多种电子应用,拥有高效率、高可靠性和性价比高等优点。其在现代电子产品中展现出广泛的适用性,特别是在电源管理、信号处理和驱动控制等领域,成为工程师们的理想选择。无论在设计还是实际应用中,PBSS4120T,215均能够满足需求,帮助开发出高效、稳定和紧凑的电子系统。