PBHV8140Z,115

PBHV8140Z,115 产品概述

一、产品基本信息

PBHV8140Z,115 是一款高性能的 NPN 晶体管，广泛应用于各种电子电路中，尤其是在开关和放大应用中表现卓越。此款晶体管的设计使其具有良好的电性能和热稳定性，适用于高电压和高电流的环境，主要适合于电源管理、电动机驱动以及信号放大等多个领域。

二、主要技术参数

1. 晶体管类型：NPN
2. 集电极电流 (Ic)：
   • 最大值：1A
3. 集射极击穿电压 (Vce)：
   • 最大值：400V
4. 额定功率：
   • 最大值：1.45W
5. 饱和压降 (Vce(sat))：
   • 最大值：250mV @ 200mA, 1A
6. 截止电流 (Ic(off))：
   • 最大值：100nA
7. DC 电流增益 (hFE)：
   • 最小值：35 @ 500mA, 10V
8. 频率 - 跃迁：
   • 最大值：25MHz
9. 工作温度 (Tj)：
   • 最大值：150°C
10. 封装类型：
    • 表面贴装型 (SMD)
    • 封装/外壳：SOT-223、TO-261-4、TO-261AA

三、应用领域

PBHV8140Z,115 的设计使其适合于以下多个应用领域：

1. 开关电源：由于其高耐压特性（400V），该晶体管可以有效地用于各种开关电源电路中，以实现高效的能量转换。

2. 电机驱动：在电动机控制与驱动应用中，PBHV8140Z,115 可作为开关元件，其大电流输出能力可满足大功率电机启动和运行的需求。

3. 音频放大器：晶体管的高频特性（25MHz）使其能够在音频放大器中提供清晰的信号放大，适合用于音频设备的设计。

4. 射频应用：在射频信号处理中，此款晶体管的高切换频率表现突出，适合用于无线通信设备、基站等。

四、性能优势

1. 高电压与高电流能力：PBHV8140Z,115 的结合特性使其能够承受高达 400V 的集射极击穿电压，且最大集电极电流可达到 1A，非常适用于需要高电压和大电流的应用场合。

2. 低饱和压降：在较高的工作电流下（如 200mA 和 1A），晶体管的饱和压降仅为 250mV，这有助于降低功耗并提高整体效率。

3. 高效能的电流增益：DC 电流增益 (hFE) 的最小值为 35，确保了其在多种应用中的良好线性特性和操作稳定性。

4. 宽温度范围：可承受高达 150°C 的工作温度，使其在高温环境下依旧保持优良的性能，适合工业和汽车等特殊环境。

五、结论

PBHV8140Z,115 是一款功能强大的 NPN 晶体管，以其优越的电气性能和极高的可靠性被广泛应用于现代电子设备中。其在高电压与大电流、低功耗、宽温范围等方面的优势，确保了产品在多种环境下的稳定运行。因此，PBHV8140Z,115 成为电子设计工程师和开发人员在选择电子元器件时的优先考虑对象，为电源管理、信号处理及自动化应用提供了卓越的解决方案。