MMBT5551-TP
MMBT5551-TP参数
| 晶体管类型 | NPN | 电流 - 集电极 (Ic)（最大值） | 600mA |
| 电压 - 集射极击穿（最大值） | 160V | 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值） | 500mV @ 5mA，50mA |
| 电流 - 集电极截止（最大值） | 50nA（ICBO） | 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值） | 100 @ 10mA，5V |
| 功率 - 最大值 | 300mW | 频率 - 跃迁 | 100MHz |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 供应商器件封装 | SOT-23 |
MMBT5551-TP手册
MMBT5551-TP概述
MMBT5551-TP 产品概述
概述
MMBT5551-TP 是一款高级 NPN 型晶体管，广泛应用于需要高电流、低功耗的电路设计中。作为 BJT（三极管）的一种，该器件提供了优秀的电流增益和较高的工作电压，特别适合于开关应用和放大器电路。该产品的封装为表面贴装型，采用 SOT-23 封装，为现代电子产品的微型化和高集成度提供了便利。
主要参数
- 晶体管类型: NPN
- 最大集电极电流 (Ic): 600mA
- 最大集射极击穿电压 (Vce): 160V
- 饱和压降 (Vce(sat)): 最大 500mV @ 5mA 和 50mA
- 集电极截止电流 (ICBO): 最大 50nA
- 最低 DC 电流增益 (hFE): 100 @ 10mA，5V
- 最大功率: 300mW
- 频率响应: 跃迁频率达到 100MHz
- 工作温度范围: -55°C 至 150°C
- 封装类型: SOT-23，TO-236-3，SC-59
- 品牌: MCC（美微科）
性能特点
高电流处理能力: MMBT5551-TP 的最大集电极电流为 600mA，使其在电流较大的应用中表现出色。用户可以安全地使用该晶体管在开关电源、马达驱动和其他电流要求较高的电路中。
高电压承受能力: 该晶体管的最大集射极击穿电压为 160V，显示出它在高电压环境下的稳定性。此特性使其适用于高电压开关电路和过压保护应用。
低饱和压降: 在较低电流范围内（5mA 和 50mA）测试时，MMBT5551-TP 展现出最大饱和压降仅为 500mV，这有助于降低能量损耗，提高器件的效率。
优秀的增益特性: 该器件提供最低 100 的电流增益 (hFE)，使其在低输入电流条件下仍然能够驱动较大的输出电流，适合用于放大器设计和信号处理。
广泛的工作温度范围: MMBT5551-TP 的工作温度范围为 -55°C 到 150°C，使其能够在苛刻环境中可靠运行，适合航空航天、工业控制和汽车电子等严酷应用。
高频性能: 其跃迁频率高达 100MHz，为高频开关和 RF 应用提供了理论支持，适合于通信设备及其它要求高带宽的电路。
应用领域
MMBT5551-TP 可广泛应用于多种电子电路，包括但不限于：
- 开关电源：作为开关元件，通过控制电流实现高效能量转换。
- 信号放大器：用于低功耗信号放大，广泛应用于音频和射频放大器中。
- 电机驱动：在电动机控制电路中，作为开关构件稳固地切换负载电流。
- 自动化控制系统：用于各种传感器输出信号的放大和开关控制。
- 汽车电子：广泛应用于汽车控制系统、灯光和电源管理等。
结论
总之，MMBT5551-TP 是一款功能强大且可靠的 NPN 型晶体管，其高电流、电压适应能力及出色的频率性能，使其成为现代电子设计不可或缺的元件。凭借其优良的电气特性和广泛的应用潜力，MMBT5551-TP 适合多种应用，满足不同的行业需求。