存储器类型 | 易失 | 存储器格式 | SRAM |
技术 | SRAM - 异步 | 存储容量 | 1Mb (128K x 8) |
存储器接口 | 并联 | 写周期时间 - 字,页 | 10ns |
访问时间 | 10ns | 电压 - 供电 | 3.15V ~ 3.45V |
工作温度 | -40°C ~ 85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 32-SOIC(0.400",10.16mm 宽) | 供应商器件封装 | 32-TSOP II |
IS63LV1024L-10TLI 是一款由 ISSI(美国芯成)制造的高性能1Mb(128K x 8位)的静态随机存取存储器(SRAM)。作为一种易失性存储器,这款SRAM在众多应用场景中,因其快速的存取速度和高效的性能,成为了设计工程师的热门选择。本文将从多个方面对该产品进行详细概述,包括其技术参数、应用领域及优势等。
该产品采用了异步SRAM技术,这是基于并行接口设计的,使它能够以10ns的访问时间和写周期时间快速处理数据。它的存储容量为1Mb,配置为128K x 8位,使其能够有效存储大量数据。这种高密度的数据存储能力,使得IS63LV1024L-10TLI在嵌入式系统、网络设备以及图像处理等多个领域表现出色。
IS63LV1024L-10TLI的工作电压范围为3.15V至3.45V,适应了当前多种低电压应用的需求。此外,其工作温度范围为-40°C至85°C,确保在极端环境下仍能可靠运行。这样的特性使得该产品在工业级应用中非常适用,尤其是那些需在恶劣环境下工作的设备。
该器件采用了32-TSOP II封装(0.400",10.16mm宽),并且支持表面贴装技术(SMT)。这种封装设计不仅节省了PCB空间,同时简化了组装过程,提高了生产效率。此外,采用的32-SOIC封装类型,也使得在电路板上的布局更加灵活,为设计师提供更多的设计选项。
IS63LV1024L-10TLI因其快速的响应时间和相对较高的存储容量,在众多应用中展现了其优势。常见的应用领域包括:
在众多SRAM产品中,IS63LV1024L-10TLI凭借其卓越的性能及可靠性,赢得了市场的广泛认可。高达10ns的存取时延,使其在同类产品中具有竞争力。同时,ISSI作为厂家,提供优质的客户支持和工程服务,确保客户在选型及应用过程中能够获得全面的技术支持。
综上所述,IS63LV1024L-10TLI是一个高性能的SRAM解决方案,其快速响应、宽广的电压范围和环境适应性,使其成为多种应用中的理想选择。随着智能技术和物联网设备的普及,对多种存储器件的需求将持续增长。IS63LV1024L-10TLI凭借其出色的性能表现,未来在电子行业无疑会有更广泛的应用和发展空间。对于设计师和工程师而言,该元件是实现高效率、高可靠性设计的重要工具之一。