驱动配置 | 半桥 | 通道类型 | 独立式 |
驱动器数 | 2 | 栅极类型 | IGBT,N 沟道 MOSFET |
电压 - 供电 | 10V ~ 20V | 逻辑电压 - VIL,VIH | 0.8V,2.5V |
电流 - 峰值输出(灌入,拉出) | 290mA,600mA | 输入类型 | 反相,非反相 |
高压侧电压 - 最大值(自举) | 200V | 上升/下降时间(典型值) | 70ns,35ns |
工作温度 | -40°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 表面贴装型 |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | 供应商器件封装 | 8-SOIC |
IRS2003STRPBF 是一款高性能栅极驱动器,专为控制绝缘栅双极晶体管(IGBT)和 N 沟道金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)而设计。它是英飞凌(Infineon)旗下的一款独立式双通道驱动器,采用表面贴装型,封装类型为 8-SOIC。这款驱动器在电力应用、逆变器、工业电机控制等领域广泛应用,能有效提升驱动效率和系统性能。
半桥驱动配置:IRS2003STRPBF 配备独立的半桥驱动配置,适合用于推动两个功率器件的组合,具有灵活性和广泛的应用场景。
高压兼容性:该驱动器的高压侧电压最大值可达到 200V,支持高压电路设计,使其适用于高压环境下的应用。自举电压设计可确保在高压条件下仍能稳定工作。
供电电压范围:该驱动器在 10V至 20V 的供电电压范围内运行,以适应不同应用的需求。
输出电流能力:IRS2003STRPBF 提供高达 600mA 的峰值输出电流(拉出),290mA 的输入电流(灌入),确保可靠的栅极驱动能力,有助于减小开关损耗,从而提高功率转换效率。
快速开关速度:上升时间典型为 70ns,下降时间典型为 35ns,响应速度较快,为高频开关应用提供了支持,尤其在电源转换和电机控制领域,快速的开关速度可以提升系统的性能。
输入类型多样性:IRS2003STRPBF 支持反相和非反相输入类型,提供了灵活的设计选择,以满足不同控制逻辑的需求。
广泛的工作温度范围:该元器件稳定性极高,能够在 -40°C 到 150°C 的广泛温度范围内运行,非常适合严酷环境下的应用。
小型化设计:采用 8-SOIC 封装,适合表面贴装,帮助实现小型化电子设备的设计需求。
IRS2003STRPBF 的特性使得该驱动器适用于多种应用场景,主要包括:
IRS2003STRPBF 是一款设计优秀、性能可靠的栅极驱动器,凭借其灵活的输入配置、高压兼容性、快速开关速度及宽广的工作温度范围,成为驱动 IGBT 和 N 沟道 MOSFET 的理想选择。它的多功能特性和小型封装方式更是为现代电子产品的设计提供了更多的可能性。由英飞凌公司制造的 IRS2003STRPBF,无疑为工程师在高功率电路设计中提供了强有力的支持。