FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
漏源电压(Vdss) | 55V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 17A(Tc) |
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 4V,10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 65 毫欧 @ 10A,10V |
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 15nC @ 5V |
Vgs(最大值) | ±16V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 480pF @ 25V |
功率耗散(最大值) | 45W(Tc) | 工作温度 | -55°C ~ 175°C(TJ) |
安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-Pak |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63 |
IRLR024NTRPBF 是来自英飞凌(Infineon)的一款高性能N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),具备优良的电气特性和绝佳的热稳定性,广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动以及电机控制等领域。该器件采用TO-252-3(D-Pak)封装,便于表面贴装安装,适合高密度电路设计。
IRLR024NTRPBF 因其优异的电气特性和热性能,适合于以下多个应用场合:
IRLR024NTRPBF 是一款功能强大的N沟道MOSFET,具有优良的热管理性能与电气效率,适合各种高功率和高电压的应用需求。无论是用于电源管理系统、马达控制,还是电池管理方案,该器件都能提供卓越的性能和可靠性,使设计工程师能够轻松开发出具有高效能和可靠性的产品。通过采用IRLR024NTRPBF,工程师不仅能提升产品性能,还能有效降低整体系统的能耗,从而为用户带来更大的经济效益。