IRLML2244TRPBF
IRLML2244TRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 20V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 4.3A |
| 栅源极阈值电压 | 1.1V @ 10uA | 漏源导通电阻 | 54mΩ @ 4.3A,4.5V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1.3W | 类型 | P沟道 |
| FET 类型 | P 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 4.3A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 2.5V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 54 毫欧 @ 4.3A，4.5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1.1V @ 10µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 6.9nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±12V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 570pF @ 16V | 功率耗散（最大值） | 1.3W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | Micro3™/SOT-23 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
IRLML2244TRPBF手册
IRLML2244TRPBF概述
产品概述：IRLML2244TRPBF P沟道MOSFET
概述
IRLML2244TRPBF是一款高性能的P沟道金属氧化物场效应管（MOSFET），由知名电子元器件制造商Infineon（英飞凌）生产。该器件设计用于各种低压和高效能应用，广泛应用于开关电源、低压电机驱动、负载开关、以及更广泛的功率管理领域。IRLML2244TRPBF的特点包括低导通电阻、高温工作能力以及优异的功率管理特性。
关键参数
- 漏源电压（Vdss）: 20V
- 连续漏极电流（Id）: 4.3A（在25°C时）
- 栅源极阈值电压（Vgs(th)）: 1.1V @ 10µA
- 漏源导通电阻（Rds(on)）: 54mΩ @ 4.3A, 4.5V
- 最大功率耗散（Ptot）: 1.3W（在环境温度为25°C时）
- 工作温度范围: -55°C ~ 150°C
- 封装类型: SOT-23 (Micro3)
技术特性
IRLML2244TRPBF的低导通电阻使其在导通时能有效减少功耗，提升电路的整体效率。其最大Rds(on)为54mΩ，在4.3A的电流下表明了出色的热管理性能，适合在空间受限的应用中使用。此外，该MOSFET的阈值电压为1.1V，使其能够在低电压驱动下就能够启动，方便集成到各类低功耗设计中。
该器件具有最大栅极电压Vgs为±12V，这使得它在各种栅极驱动电路中具有良好的兼容性。输入电容Ciss的最大值为570pF @ 16V，这对于高速开关应用来说十分重要，因为较小的输入电容意味着快速的开关响应和较低的驱动功耗。
应用场景
IRLML2244TRPBF被设计用于多种电子应用中，包括但不限于：
- 开关电源：在电源管理中实现高效能的开关转换。
- 低压电机驱动：控制小型电机的启动与运行。
- 负载开关：在便携式设备或电池供电的系统中，作为高效的开关元件。
- 通用功率管理：包括任何需要高效率和小尺寸的功率开关解决方案的应用。
封装和安装
IRLML2244TRPBF采用SOT-23（Micro3）封装，这种小型表面贴装封装形式非常适合于紧凑型设计和高密度组件排列。SOT-23封装具备良好的热导性和电气性能，适合现代电子设备的需要。
环境与安全
IRLML2244TRPBF具有宽广的工作温度范围（-55°C到150°C），可在极端环境下稳定工作，是高可靠性应用的理想选择。同时，该部件经过严格测试，确保其在各类电气参数下表现出色，适用于要求较高的工业与消费电子产品。
总结
IRLML2244TRPBF是一款强大的P沟道MOSFET，结合了优异的热性能和低功耗特性，使其适用于多种电子应用。适应性强的工作温度范围以及便于集成的SOT-23封装，令其成为在现代电子设计中一个受欢迎的选择。无论是在开关电源、负载开关还是小型电机驱动等领域，IRLML2244TRPBF都是一种值得信赖的解决方案。