IRLL024NTRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
SOT-223
包装 :
编带
重量 :
0.194g
描述 :
场效应管(MOSFET) 1W 55V 3.1A 1个N沟道 SOT-223-4
库存 :
1997(起订量1,增量1)
批次 :
24+数量 :
X
2.12按整 :
圆盘(1圆盘有2500个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.12
--
100+
￥1.64
--
1250+
￥1.42
--
2500+
￥1.34
--
37500+
产品参数
产品手册
产品概述
IRLL024NTRPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 55V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 3.1A |
| 栅源极阈值电压 | 2V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 65mΩ @ 3.1A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 1W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 3.1A（Ta） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 65 毫欧 @ 3.1A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 15.6nC @ 5V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 510pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 1W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） | 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-223 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
IRLL024NTRPBF手册
IRLL024NTRPBF概述
产品概述：IRLL024NTRPBF
一、简介
IRLL024NTRPBF 是一款高性能的 N 通道 MOSFET，由知名半导体制造商英飞凌（Infineon）出品。该器件专为高效能和高可靠性的应用场景而设计，其基本参数使其在电源管理、开关电源和类负载控制等领域中具有广泛的应用潜力。器件的封装形式为SOT-223，专为表面贴装(SMD)设计，符合现代电子产品对节省空间和简化生产工艺的需求。
二、关键参数
IRLL024NTRPBF 的核心参数如下：
- 漏源电压（Vdss）：最大55V，适合处理相对较高电压的应用。
- 连续漏极电流（Id）：在25°C下，可承受3.1A的连续电流，提供可靠的电流传输能力。
- 栅源极阈值电压：在250µA条件下，阈值电压为2V，使得其在低电压驱动下即可开启。
- 漏源导通电阻（Rds(on)）：在3.1A、10V条件下，导通电阻仅为65mΩ，确保在工作时的能量损耗最小化。
- 最大功率耗散（Ta=25°C）：为1W，提供合理的热管理设计空间。
- 工作温度范围：从-55°C到150°C，适用于各种恶劣环境。
三、技术特点
IRLL024NTRPBF 运用 MOSFET 技术，具有优良的开关特性和低导通损耗，这对于提升电路效率至关重要。器件的栅极电荷（Qg）在5V的驱动条件下仅为15.6nC，显示出其快速开关能力，适用于高频应用。此外，其输入电容（Ciss）为510pF（在25V下），使其适合在频繁开关的情况下保持良好的高频响应。
栅源电压（Vgs）的最大值为±16V，这使得IRLL024NTRPBF 能够在多种驱动方式下稳定工作，减少整个电路的复杂度。由于该器件能够在较低的栅驱动电压下（如4V）仍然保持良好的 Rds(on)，它在众多便携式设备中尤为重要，因其能够降低功耗。
四、应用场景
IRLL024NTRPBF 广泛应用于：
- 电源管理：在电源开关电路中充当开关元件，提供高效的电能传输。
- 类负载控制：如电机驱动、LED 驱动等应用场合。
- 信号开关：在数据通信设备中，可用于信号的开关电路，提升数据传输效率。
- 电池管理系统：在多种电池的充放电管理中，确保电流的高效流动和控制。
五、总结
IRLL024NTRPBF 是一款设计紧凑、性能优越的 N 通道 MOSFET，适合多种高效能电子应用。依赖其高漏源电压、低导通电阻及优越的热性能，该器件成为现代电子设备中不可或缺的重要组成部分。凭借不俗的工作温度范围和可接受的功率耗散，IRLL024NTRPBF 将在要求高可靠性和高效能的场合中赢得良好的应用前景，为设计人员提供灵活而可靠的解决方案。