注：图像仅供参考，请参阅产品规格数据手册
IRL2203NPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-220AB
包装 :
管装
重量 :
2.01g
描述 :
场效应管(MOSFET) 180W 30V 116A 1个N沟道 TO-220AB
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
3.63按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥3.63
--
100+
￥2.9
--
1000+
￥2.69
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRL2203NPBF参数
| 漏源电压（Vdss） | 30V | 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 116A |
| 栅源极阈值电压 | 1V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 7mΩ @ 60A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 180W | 类型 | N沟道 |
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 116A（Tc） | 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 7 毫欧 @ 60A，10V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 60nC @ 4.5V | Vgs（最大值） | ±16V |
| 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 3290pF @ 25V | 功率耗散（最大值） | 180W（Tc） |
| 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） | 安装类型 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | TO-220AB | 封装/外壳 | TO-220-3 |
IRL2203NPBF手册
IRL2203NPBF概述
IRL2203NPBF 产品概述
一、基本信息
IRL2203NPBF 是一款高性能的 N 沟道金属氧化物半导体场效应管（MOSFET），由知名半导体制造商 Infineon（英飞凌）生产。此器件广泛应用于功率管理、电源转换及开关电路等领域，其优秀的电气性能和可靠性使其成为多个工业及消费类电子产品的理想选择。
二、主要参数
漏源电压 (Vdss): 30V
- 表示在不导电状态下，MOSFET 所能承受的最大漏源间电压。30V 的额定值使其能够适用于低压和中压应用。
连续漏极电流 (Id): 116A (25°C)
- 在标准环境温度下，该 MOSFET 可以承载的连续电流为116A，这一特点使其适用于高功率的瞬态负载场合。
栅源极阈值电压 (Vgs(th)): 1V @ 250µA
- 输入信号需要达到的最低电压，以使得 MOSFET 开始导电，这一较低的值使其在低电压驱动应用中表现优异。
漏源导通电阻 (Rds(on)): 7mΩ @ 60A, 10V
- 导通状态下漏源电阻的极低值减少了在发生导电时的能量损失，确保了较高的能效和温升控制。
最大功率耗散: 180W (Ta=25°C)
- 表明器件在常规条件下能够安全散发的功率，适合用于高功率的功率转换应用。
工作温度范围: -55°C ~ 175°C
- 这说明 MOSFET 在极端环境下依然稳定工作，适合航空航天、汽车电子等要求苛刻的应用场景。
封装: TO-220AB
- 常见的通过孔安装封装，便于散热和电路布局，是工业界广泛接受的标准封装形式。
三、应用领域
IRL2203NPBF 由于其卓越的性能，适用于诸多领域：
- 开关电源 (SMPS): 在逆变器和整流器中作为开关元件，能够高效地调节和转换电压。
- 电动机驱动: 用于控制电机的启停和调速，提高电机运行效率。
- LED 驱动: 在 LED 照明和显示屏中提供恒流支持，保证光源的稳定性。
- 汽车电子: 适合在电动汽车、混合动力汽车及其周边电子设备中实现更高的能耗效率和性能。
- 工业控制: 作为过程控制中的开关器件，帮助实现对电流和电压的精准控制。
四、结论
IRL2203NPBF MOSFET 凭借其高电流承载能力、低导通电阻及宽广的工作温度范围，展现出极高的可靠性和灵活性。其 TO-220AB 封装方式不仅便于散热，更使得此器件更易于集成到各种电路设计中。
总之，IRL2203NPBF 是一款极其先进和多功能的 N 沟道 MOSFET，适用于广泛的电子和电力应用，能够满足现代电子设备对高性能、高效率和高可靠性的需求。随着科技的不断发展，其应用潜力还将进一步扩展。