注：图像仅供参考，请参阅产品规格
IRFR7440TRPBF
品牌 :
Infineon(英飞凌)
封装 :
TO-252-3(DPAK)
包装 :
编带
重量 :
0.481g
描述 :
场效应管(MOSFET) 140W 40V 90A 1个N沟道 TO-252(DPAK)
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
21+数量 :
X
2.53按整 :
圆盘(1圆盘有2000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥2.53
--
100+
￥1.95
--
1000+
￥1.7
--
20000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFR7440TRPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 40V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 90A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 6V，10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2.4 毫欧 @ 90A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 3.9V @ 100µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 134nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 4610pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 140W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 供应商器件封装 | D-PAK（TO-252AA） |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
IRFR7440TRPBF手册
无数据
IRFR7440TRPBF概述
产品概述：IRFR7440TRPBF
1. 一般信息
IRFR7440TRPBF是一种高性能的N沟道MOSFET (金属氧化物场效应晶体管)，专为高电压和高电流应用设计，适用于现代电子电路中的各类驱动、转换和开关场景。该器件由知名品牌英飞凌（Infineon）生产，采用TO-252（D-PAK）封装，非常适合表面贴装（SMD）设计。
2. 关键参数
- 漏源电压 (Vdss)：IRFR7440TRPBF的最大漏源电压为40V，这使其在许多中低电压应用中显示出优异的性能。
- 连续漏极电流 (Id)：在25°C环境温度下，该MOSFET可承受高达90A的连续漏极电流，这使其能够处理高功率负载。这种能力使其成为电源管理、电动机驱动以及其他高电流要求的应用理想选择。
- 开启电压 (Vgs(th))：其阈值电压最大值为3.9V，确保在适当的栅极电压下能快速开启，进一步提高了开关效率。
- 导通电阻 (Rds(on))：在10V栅极驱动电压条件下，该器件的最大导通电阻为2.4毫欧（@ 90A），这保证了在大电流流动时功耗最小化，热损耗减少。
- 功率耗散 (Pd)：最大功率耗散能力为140W（Tc），提供了良好的散热能力，适应高功率应用。
- 工作温度范围：IRFR7440TRPBF的工作温度范围从-55°C到175°C，确保在严酷环境下的可靠性与稳定性。
3. 应用领域
IRFR7440TRPBF广泛应用于以下几个领域：
- 电源管理：在变换器和电源模块中，MOSFETs起到高效开关的重要作用。
- 电动机驱动：可用于直流和交流电动机的驱动电路，对大电流的快速切换提供支持。
- 逆变器和整流器：在太阳能逆变器和UPS（不间断电源系统）中，MOSFET的高效率使之成为理想选择。
- 高频开关：应用于高频开关电源（SMPS）里，以保证高频率下的稳定运行。
4. 性能优势
IRFR7440TRPBF具备多项性能优势，使其在众多产品中脱颖而出：
- 高效率：极低的导通电阻和低栅极电荷确保了高开关效率，适合快速开关的应用。
- 广泛的工作温度：其极大的温度范围可以满足各种恶劣环境的应用需求，增加了设计的灵活性。
- 降低散热需求：由于其高功率耗散能力，系统设计中可以减小散热装置的体积和成本。
5. 封装和安装
IRFR7440TRPBF采用D-PAK封装，具有较小的尺寸和优良的散热性能，适合于紧凑型电路设计。表面贴装的形式使得组件能够快速、简单地与印刷电路板连接，提高整体的生产效率。
6. 结论
综上所述，IRFR7440TRPBF是一款功能强大、性能优秀的N沟道MOSFET，适合广泛的工业和消费类电器应用。其高电流处理能力、低导通电阻以及支持极端工作环境的设计，使其成为现代电子设计中不可或缺的元器件之一。无论是在电源管理、马达控制还是高频开关领域，IRFR7440TRPBF均能发挥出超乎寻常的性能。