漏源电压(Vdss) | 600V | 连续漏极电流(Id)(25°C 时) | 6.8A |
栅源极阈值电压 | 4V @ 250uA | 漏源导通电阻 | 1.2Ω @ 4.1A,10V |
最大功率耗散(Ta=25°C) | 150W | 类型 | N沟道 |
FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET(金属氧化物) |
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 6.8A(Tc) | 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On) | 10V |
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值) | 1.2 欧姆 @ 4.1A,10V | 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值) | 60nC @ 10V | Vgs(最大值) | ±20V |
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值) | 1300pF @ 25V | 功率耗散(最大值) | 150W(Tc) |
工作温度 | -55°C ~ 150°C(TJ) | 安装类型 | 通孔 |
供应商器件封装 | TO-247-3 | 封装/外壳 | TO-247-3 |
产品名称: IRFPC40PBF
产品类型: N通道MOSFET
封装类型: TO-247-3
品牌: VISHAY (威世)
IRFPC40PBF是一款高性能的N通道MOSFET,专为高压和高功率应用设计。其漏源电压(Vdss)可达600V,能够承受较高的电压负载,适用于各种电源管理和开关电路。该MOSFET在25°C环境温度下,连续漏极电流(Id)最大可达6.8A,此外,其最大功率耗散能力为150W,适合在高温和高功率条件下运行。
漏源电压(Vdss): 600V
连续漏极电流(Id): 6.8A (在25°C时)
栅源极阈值电压(Vgs(th)): 4V @ 250µA
漏源导通电阻(Rds(on)): 1.2Ω @ 4.1A, 10V
栅极电荷(Qg): 60nC @ 10V
工作温度范围: -55°C ~ 150°C
最大Vgs: ±20V
输入电容(Ciss): 1300pF @ 25V
IRFPC40PBF MOSFET的设计使其非常适合以下应用场景:
IRFPC40PBF是在现代电子设计中非常出色的N通道MOSFET,结合了高效率、高功率和广泛的操作范围。它的卓越性能使其成为高压和高流应用中的理想选择,适用于各种工业和消费产品。凭借其制造商VISHAY的信誉,用户可以信赖其持续的质量和性能,进而提升和优化其电子设计与应用。