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IRFI640GPBF
品牌 :
VISHAY(威世)
封装 :
TO-220-3
包装 :
管装
重量 :
2.88g
描述 :
场效应管(MOSFET) 40W 200V 9.8A 1个N沟道 TO-220F-3
库存 :
0(起订量1,增量1)
批次 :
-数量 :
X
13.89按整 :
管(1管有1000个)
合计 :
￥0梯度
内地(含税)
香港
1+
￥13.89
--
100+
￥11.77
--
15000+
产品参数
产品手册
产品概述
IRFI640GPBF参数
| FET 类型 | N 通道 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 200V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 9.8A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | 10V | 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 180 毫欧 @ 5.9A，10V |
| 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA | 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值） | 70nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | ±20V | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 1300pF @ 25V |
| 功率耗散（最大值） | 40W（Tc） | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 通孔 | 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 全封装，隔离接片 |
IRFI640GPBF手册
无数据
IRFI640GPBF概述
产品概述：IRFI640GPBF N通道MOSFET
- 基本信息
IRFI640GPBF是一款高性能N通道MOSFET，由威世半导体（VISHAY）制造，采用TO-220封装。该器件专门设计用于高压和大电流的应用，具有优异的导电性能和高功率处理能力，是多种电子设备和电路设计的理想选择。
- 技术规格
- 最大漏源电压（Vdss）：200V
- 连续漏极电流（Id）：在25°C时可达9.8A（Tc）
- 栅源驱动电压：最高可达10V，确保器件在不同应用中具备高效驱动能力
- 导通电阻（Rds On）：在5.9A和10V时最大值为180毫欧，确保在导通状态下耗能最低
- 栅极阈值电压（Vgs(th)）：最大值为4V（@ 250µA），使得MOSFET在较低栅压下即可稳定工作
- 栅极电荷（Qg）：最大为70nC（@ 10V），可以有效降低开关损耗
- Vgs（最大值）：可承受±20V的栅源电压，允许广泛的应用场景
- 输入电容（Ciss）：最大1300pF（@ 25V），提供良好的频率响应
- 功率耗散：最大40W（Tc），可在高功率应用中稳定工作
- 工作温度范围：-55°C至150°C（TJ），确保器件在极端环境下的可靠性
- 安装类型：通孔，适合传统PCB设计
- 应用场景
IRFI640GPBF的设计使其特别适用于开关电源、马达控制、功率放大器和任何需要高效电源转换的应用。它在电动机驱动控制中的表现尤为突出，能有效提高驱动系统的效率。同时，凭借其高耐压特性，该MOSFET适合在各种工业和消费电子产品中使用，如电源管理模块、不间断电源（UPS）和LED驱动电路。
- 性能优势
- 高效能：低导通电阻（Rds On）和较小的栅极电荷（Qg）使IRFI640GPBF具有高效开关性能，降低了静态损耗和动态损耗。
- 宽温范围：能在-55°C至150°C的工作环境下稳定工作，提高了整个系统的适应范围，特别适合苛刻条件下的工业应用。
- 可靠性：采用TO-220封装设计，既可提供良好的热管理，又保证在高功率应用中的可靠性，满足现代电子设备对于元器件长期稳定性的要求。
- 易于集成：其通孔设计使得该MOSFET在各种PCB布局中都能轻松集成，适合不同的设计需求。
- 总结
总之，IRFI640GPBF是一款兼具高功率处理能力和卓越导通性能的N通道MOSFET，凭借其强大的技术规格和出色的性能，成为电子工程师在设计电源管理方案时的重要选择。无论是在工业应用还是在消费电子产品中，IRFI640GPBF都能提供高效能与可靠性，为电路设计增添无限可能。